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公开(公告)号：CN113707813B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110987133.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种用于有机光电器件的透明顶电极复合薄膜材料及制备方法，涉及有机半导体光电器件技术领域。本发明的透明顶电极复合薄膜材料包括衬底、和设于衬底上的MoOx薄膜层、掺杂Ag基薄膜层、HfOx薄膜层。本发明还提供一种用于有机光电器件的透明顶电极复合薄膜材料的制备方法，所述方法均采用真空低温制备工艺。本发明方法的透明顶电极复合薄膜材料制备工艺能与有机光电器件兼容。所制备的透明顶电极复合薄膜材料在可见‑近红外区域的平均透过率高达77％，且具有良好的导电性，其方阻小于20Ω/□。依据本发明方法制备的透明顶电极复合薄膜材料及其制备工艺方法适于制备高性能的有机阵列化光电器件。
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公开(公告)号：CN113675344A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110961017.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器用金属电极材料及制备方法，金属电极材料包括基底、基底表面的金属电导层、金属电导层上方的界面修饰层，金属电导层和界面修饰层通过真空原位溅射工艺或离子源辅助溅射工艺制备。本发明采用真空原位溅射工艺或离子源辅助溅射工艺制备有机光电探测器用金属电极材料，既保留了高纯铝或铜等金属材料与CMOS电路兼容性好的特性，又减小了环境因素带给金属电极材料的消极影响；本发明在金属电导层上制备界面修饰层，使有机光电探测器用金属电极材料的功函数更匹配电子传输层的功函数，同时提高了有机光电探测器用金属电极材料的电导率，利于金属电极材料的电子收集。
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公开(公告)号：CN113675344B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202110961017.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器用金属电极材料及制备方法，金属电极材料包括基底、基底表面的金属电导层、金属电导层上方的界面修饰层，金属电导层和界面修饰层通过真空原位溅射工艺或离子源辅助溅射工艺制备。本发明采用真空原位溅射工艺或离子源辅助溅射工艺制备有机光电探测器用金属电极材料，既保留了高纯铝或铜等金属材料与CMOS电路兼容性好的特性，又减小了环境因素带给金属电极材料的消极影响；本发明在金属电导层上制备界面修饰层，使有机光电探测器用金属电极材料的功函数更匹配电子传输层的功函数，同时提高了有机光电探测器用金属电极材料的电导率，利于金属电极材料的电子收集。
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公开(公告)号：CN113707813A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110987133.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种用于有机光电器件的透明顶电极复合薄膜材料及制备方法，涉及有机半导体光电器件技术领域。本发明的透明顶电极复合薄膜材料包括衬底、和设于衬底上的MoOx薄膜层、掺杂Ag基薄膜层、HfOx薄膜层。本发明还提供一种用于有机光电器件的透明顶电极复合薄膜材料的制备方法，所述方法均采用真空低温制备工艺。本发明方法的透明顶电极复合薄膜材料制备工艺能与有机光电器件兼容。所制备的透明顶电极复合薄膜材料在可见‑近红外区域的平均透过率高达77％，且具有良好的导电性，其方阻小于20Ω/□。依据本发明方法制备的透明顶电极复合薄膜材料及其制备工艺方法适于制备高性能的有机阵列化光电器件。
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