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公开(公告)号：CN116973721A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310505530.0
申请日：2023-05-05
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于1/f噪声的高精度栅氧化层陷阱位置分布表征方法，包括：针对MOSFETs样品，判断噪声机理是否为载流子数涨落主导；若是，得到矩阵方程形式的初始1/f噪声模型；构造权重矩阵并利用权重矩阵对初始1/f噪声模型进行处理，得到更新的1/f噪声矩阵方程；使用非负最小二乘法求解更新的1/f噪声矩阵方程，得到MOSFETs样品的栅氧化层不同位置处的陷阱分布。本发明在采用非负最小二乘法求解1/f噪声模型的矩阵方程前，利用低频噪声自身频谱的特点构造权重矩阵，利用权重矩阵将1/f噪声模型的矩阵方程转换成更适合非负最小二乘法求解的形式，能够显著扩大求解的频率范围并具有更高精度。
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公开(公告)号：CN115422712A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210914010.0
申请日：2022-08-01
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法，搭建MOSFETs近界面氧化层的原子级模型，并引入各类单一缺陷构型，由此形成若干包含单一缺陷构型的缺陷模型；对各缺陷模型进行电子态密度计算，定性表征由相应缺陷所引入的电子态密度峰，即电中性缺陷能级位置；利用缺陷形成能定义，拟合求解各缺陷模型在不同电荷态之间的电荷转变能级，即带电缺陷能级位置；测量MOSFETs器件的低频1f漏电流噪声功率谱，并求解MOSFETs器件栅氧化层内的陷阱分布，分析陷阱中心位置；将电中性缺陷能级位置、带电缺陷能级位置与陷阱中心位置进行对比，识别引发MOSFETs器件漏电流噪声的陷阱原子构型。
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公开(公告)号：CN110284360B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910604266.X
申请日：2019-07-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: D21H17/66 , D21H17/64 , D21H17/67 , D21H21/52 , D21H27/00 , D21H21/36 , D21H17/68 , D21F13/02 , A01N59/06 , A01N59/00 , A01P1/00
Abstract: 本发明公开了一种抗溶血性链球菌的纸制品及其制备方法，以减小纸制品所带的溶血性链球菌，防止疾病传播，降低其制备成本和工艺的复杂性，减小对环境污染。其方案是：1)分别配制镁离子水溶液和铝源悬浊液、氢氧根离子溶液，碳酸钠悬浊液和微量改性剂悬浊液，并进行混合加热、搅拌，得到铝镁改性的纳米复相悬浊液；再经过静置、过滤、洗涤得到铝镁改性的纳米复相沉淀物；2)向该沉淀物中加入剪碎的废弃纸得到铝镁改性的纳米复合纸浆浆料，再经过过筛、晾干获得铝镁改性的纳米复合抗菌纸。本发明无毒、无腐蚀；抗菌效果显著；制备成本低、工艺简单、有助于提高纸张的印刷质量和纸的韧性，可用于大型办工场合学校医院等的室内装修的建筑行业。
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公开(公告)号：CN111593603A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010506515.4
申请日：2020-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制肺炎克雷伯氏菌的纸制品及其制备方法，主要解决现有技术中纸制品带有肺炎克雷伯氏菌，易传播疾病，且制备工艺的复杂及污染环境的问题，其方案是：1)分别制备纳米碳酸钙复相沉淀物、纳米氢氧化镁复相沉淀物和改性剂铝酸酯偶联剂溶液，并进行混合搅拌，得到改性的纳米钙镁复相沉淀物；2)向该沉淀物中加入剪碎的废弃纸得到改性纳米钙镁复合纸浆浆料，3)再将改性纳米钙镁复合纸浆浆料经过过筛、晾干，获得钙镁改性的纳米复合抗菌纸。本发明制备成本低、工艺简单，减小了环境污染，其制备的纸制品韧性好，且无毒、无腐蚀，抗菌效果显著，可用于大型办工场合学校医院的室内装修的建筑行业。
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公开(公告)号：CN109212336A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811242513.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种便携式微弱电信号的低频噪声测试方法，其特征是：包括屏蔽室、防震台、屏蔽盒、偏置电路、放大电路、数据采集模块和数据处理模块。测试过程为：将样品置于低噪声偏置电路中，整体放入钼盒套铜盒的双层屏蔽单元中；通过施加偏置电压激发出待测样品的电噪声信号；噪声信号通过直流供电的低噪声放大器放大后，经基于USB接口的数据采集模块与数据处理模块，在笔记本电脑中完成时间序列和功率谱数据的存储与分析；将整个实验装置放于防震台上。本发明具有自动化程度高、背景噪声低、便携性强、应用广泛等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114545180B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210018487.0
申请日：2022-01-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法，包括：步骤1：对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；步骤2：获取待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围；步骤3：得到亚阈值摆幅；步骤4：选取任一弱反型区的漏极电流，得到该弱反型区的漏极电流对应的电容和；步骤5：根据选取的弱反型区的漏极电流，得到陷阱能量距带边的距离；步骤6：根据漏极电流噪声功率谱以及电容和，得到栅氧化层陷阱密度；步骤7：选取不同的弱反型区的漏极电流，重复步骤4‑6，得到若干组陷阱能量距带边的距离和栅氧化层陷阱密度，以得到栅氧化层陷阱密度的能量分布。本发明的栅氧化层陷阱表征方法，明显扩展了能量表征范围。
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公开(公告)号：CN107846193B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201711338379.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池反向击穿三个阶段的性能测试方法，其步骤如下：1)测试反偏下I‑V特性曲线，确定电流激增点所对应的电压值V01；2)接下来测试反偏C‑V特性曲线，确定电容转折点所对应的电压值V02；3)取V01及V02的算术平均值V0，作为划分反偏电压噪声测试步长的参考值；4)根据Sv‑V曲线及反向IV、CV特性，判断电池发生反向击穿的早期击穿段、软击穿段和硬击穿段。该方法能够快速准确测试电池发生反向击穿电压值，同时，结合反偏电压噪声功率谱密度测试，明显区分出电池反向击穿的三个阶段。
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公开(公告)号：CN107846193A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711338379.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池反向击穿三个阶段的性能测试方法，其步骤如下：1)测试反偏下I-V特性曲线，确定电流激增点所对应的电压值V01；2)接下来测试反偏C-V特性曲线，确定电容转折点所对应的电压值V02；3)取V01及V02的算术平均值V0，作为划分反偏电压噪声测试步长的参考值；4)根据Sv-V曲线及反向IV、CV特性，判断电池发生反向击穿的早期击穿段、软击穿段和硬击穿段。该方法能够快速准确测试电池发生反向击穿电压值，同时，结合反偏电压噪声功率谱密度测试，明显区分出电池反向击穿的三个阶段。
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公开(公告)号：CN106745609A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611245600.X
申请日：2016-12-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C02F1/52
Abstract: 本发明提出了一种增强型氯化铝钙晶体的制备方法，主要解决现有技术在絮凝剂制备中对原料要求特定、易产生辐射污染及对水净化效果差的问题。其制备过程为：1)制备镁离子、铝离子、钙离子、氢氧根离子和表面活性剂五种水溶液及碳酸钠悬浊液；2)对铝离子、钙离子、氢氧根离子、表面活性剂四种水溶液混合加热搅拌，制备氯化铝钙复相悬浊液；3)控制反应溶液pH，将镁离子水溶液、碳酸钠悬浊液与氯化铝钙复相悬浊液混合加热搅拌，制备增强型氯化铝钙复相悬浊液，并对该悬浊液进行室温静置，获得其沉淀物，再对其烘干，获得增强型氯化铝钙晶体。本发明工艺简单，无毒、环保、成本低，制备的材料有助于提高污水的净化质量，可用于水的净化处理。
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公开(公告)号：CN103401065A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310330231.4
申请日：2013-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有带阻特性的超带宽分集天线。该超带宽分集天线，包括基板，所述基板上设置有第一金属辐射体、第二金属辐射体、接地板，所述接地板上设置有第一馈电端口、第二馈电端口，所述第一金属辐射体连接在第一馈电端口上，第二金属辐射体连接在第二馈电端口上，在第一金属辐射体上刻蚀第一矩形环状槽，在第二金属辐射体上刻蚀第二矩形环状槽，使5.5GHz电流主要集中分布于矩形环状槽周围，扼制了无线局域网WLAN信号的辐射和接受，可以使超带宽分集天线获得无线局域网WLAN的带阻特性，阻止5.15-5.9GHz频段的信号辐射和接收，避免WLAN信号对超宽带系统的干扰，适合在天线技术领域推广应用。
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