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公开(公告)号：CN107612502B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201710952644.4
申请日：2017-10-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池寿命测试装置，包括：用于放置太阳能电池组件的密封腔体、密封压盖，所述密封腔体与密封压盖通过铰链连接；在所述密封压盖上设置有阳光透光片，密封腔体上设置有红外透光片，所述阳光透光片、红外透光片上透过的光均能够照射在太阳能电池组件上；在密封腔体上设置有进气口、出气口、传感器安装固定机构、以及密封型电极引线接头；所述密封腔体、密封压盖构成的腔体内壁为黑色。本发明可以明确太阳能电池器件衰减中的主导因素，明确各个因素之间的协同效应，能为提升电池稳定性提供直接的实验支撑，填补了分因数太阳能电池寿命测试的空白。
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公开(公告)号：CN108122971A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711425125.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种RC-IGBT器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统RC-IGBT器件中采用禁带宽度不同的半导体材料形成集电极短路区，集电极短路区材料的禁带宽度大于与之相接触的半导体材料的禁带宽度，从而形成了具有整流特性的异质结结构，借此实现单个元胞结构就能消除传统RC-IGBT正向导通过程中的电压折回现象(Voltage Snapback)，同时优化漂移区电流分布和热分布，避免了电流集中和热集中引发的可靠性问题，并且提高了器件的反向恢复能力。进一步采用禁带宽度不同的半导体材料形成发射区，发射区的禁带宽度大于与之相接触的半导体材料的禁带宽度，以此提高了器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN107799588A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710998712.0
申请日：2017-10-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66325
Abstract: 一种逆阻型IGBT及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域，本发明通过引入沟槽发射极和沟槽集电极结构，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，提高器件的反向击穿电压；降低整体栅电容，提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗和驱动功耗，改善传统CSTBT结构正向导通压降与关断损耗之间的折中；避免器件开启动态过程中的电流、电压振荡和EMI问题，提高器件可靠性；改善沟槽底部电场集中效应，提高器件正向击穿电压，进一步提高器件可靠性；进一步提高器件发射极端的载流子增强效应，改善漂移区的载流子浓度分布，进一步改善正向导通压降与关断损耗的折中。本发明制造方法与现有CSTBT器件的制造工艺兼容。
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公开(公告)号：CN107799582A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710986479.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明克服了传统结构中N型电荷存储层的不利影响，获得更加优异的耐压性能，相比传统方式而言，解决了采用加深沟槽栅深度和减小元胞宽度致使器件的开关性能、导通压降和开关损耗折中特性以及可靠性受损的问题。本发明通过在P型体区上引入串联二极管结构，使得MOSFET的沟道电压拑位在很小的值，从而减小了器件饱和电流密度，改善了器件的短路安全工作区；通过在沟槽栅结构中引入分裂电极和分裂电极介质层，在保证了器件阈值电压和开关速度的同时提高了器件开关性能；浮空P型体区改善了器件正向导通压降与开关损耗的折中特性。另外，本发明提出CSTBT器件的制作工艺与传统制作工艺兼容。
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公开(公告)号：CN102738127B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210227598.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L23/58
Abstract: 本发明涉及一种应用分形理论的PGS结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本发明的PGS位于线圈绕成的电感/变压器的中心部分，采用底层薄的金属层，通过分形理论的自相似和迭代原理在H形的基本单元和十字形的基本单元的基础上，构造一阶、二阶、三阶、甚至更高阶的图案接地屏蔽层。本发明有效的屏蔽掉渗透到衬底的电磁场，降低可在衬底和衬底表面区域产生的感应电流，达到降低衬底能量损耗和提高了电感值和品质因数的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738127A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210227598.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L23/58
Abstract: 本发明涉及一种应用分形理论的PGS结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本发明的PGS位于线圈绕成的电感/变压器的中心部分，采用底层薄的金属层，通过分形理论的自相似和迭代原理在H形的基本单元和十字形的基本单元的基础上，构造一阶、二阶、三阶、甚至更高阶的图案接地屏蔽层。本发明有效的屏蔽掉渗透到衬底的电磁场，降低可在衬底和衬底表面区域产生的感应电流，达到降低衬底能量损耗和提高了电感值和品质因数的作用。
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公开(公告)号：CN107799582B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710986479.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明克服了传统结构中N型电荷存储层的不利影响，获得更加优异的耐压性能，相比传统方式而言，解决了采用加深沟槽栅深度和减小元胞宽度致使器件的开关性能、导通压降和开关损耗折中特性以及可靠性受损的问题。本发明通过在P型体区上引入串联二极管结构，使得MOSFET的沟道电压拑位在很小的值，从而减小了器件饱和电流密度，改善了器件的短路安全工作区；通过在沟槽栅结构中引入分裂电极和分裂电极介质层，在保证了器件阈值电压和开关速度的同时提高了器件开关性能；浮空P型体区改善了器件正向导通压降与开关损耗的折中特性。另外，本发明提出CSTBT器件的制作工艺与传统制作工艺兼容。
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公开(公告)号：CN107785415B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201711026290.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种SOI‑RC‑LIGBT器件及其制备方法，包括N型衬底、埋氧化层和N型漂移区、沟槽栅极结构、P型基区、N+源区和P+接触区、发射极、氧化层、N型缓冲区、P型集电极区；在P型基区和N型缓冲区之间的N型漂移区表面具有N型条，N型条下方漂移区中具有P型埋层；N型条的右侧及P型埋层的右侧，与N型缓冲层的左侧及P型集电极区的左侧之间具有介质槽结构；N型条和介质槽结构之间具有N+集电区；本发明提出的SOI‑RC‑LIGBT，在消除IGBT导通特性snapback现象的同时，提高器件的击穿电压，降低器件的正向导通压降，提高关断速度，减小关断损耗，同时，改善集成续流二极管的反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN108493241B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810548361.8
申请日：2018-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40
Abstract: 一种具有内置JFET结构的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的IGBT器件结构通过在传统槽栅型IGBT的体区引入JEFT区，JFET区等效为可变电阻，在器件正向导通时存储空穴，正向阻断时为空穴提供快速泄放回路，从而降低了器件的饱和导通压降和关断损耗，避免了器件关断后发生的短路失效现象，提高了器件的关断能力；并且，连接栅极结构与JFET区的连接桥在器件正向阻断时能够起到场板的作用，从而有效降低连接桥下方区域表面电场峰值，提高器件的耐压和工作可靠性；本发明提出内置有JFET结构的IGBT器件与现有高压IGBT器件制作工艺兼容，有利于实现产业化。
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公开(公告)号：CN108231878B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810113804.0
申请日：2018-02-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT，属于半导体功率器件技术领域。通过加宽传统沟槽栅结构并采用侧墙栅电极结构形成位于基区下方的台面(mesa)结构以及引入屏蔽沟槽结构，本发明在实现了器件对称的正/反向导通与关断特性的同时增大了载流子注入增强效应，改善了正向导通压降Vceon和关断损耗Eoff之间的折中；缓解了沟槽底部尖角处的电场集中效应，有效提高了器件的击穿电压；降低了器件的栅电容进而提高了器件的开关速度、降低了器件的开关损耗和对栅驱动电路能力的要求；避免了N型电荷存储层掺杂浓度和厚度对器件耐压的限制；降低了饱和电流密度，改善了器件的短路安全工作区；且有效抑制了器件导通时的EMI效应。此外，本发明提供的制作方法与传统CSTBT的制作方法兼容。
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