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公开(公告)号：CN117519391A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311645135.9
申请日：2023-12-04
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低温电路中的阈值电压调节电路，包括电流源、参考源、MOSFET晶体管及运算放大器；所述电流源用于确定MOSFET晶体管的静态工作状态，使任何温度状态下的MOSFET晶体管都在固定电流下工作；所述参考源用于提供运算放大器的负输入端的输入，与低温下的栅源电压进行比较；所述MOSFET晶体管用于代表低温电路中所有MOSFET，表征低温下MOSFET晶体管的性能，通过调节所述MOSFET晶体管阈值电压即可调节低温电路中所有MOSFET晶体管阈值电压；所述运算放大器用于负反馈环路，放大低温带来的MOSFET晶体管阈值电压的变化量，反馈到MOSFET晶体管衬底端，从而降低因温度降低带来的阈值电压的升高。本发明在低温环境下降低电路中所有MOSFET晶体管的阈值电压，大大降低低温电路功耗。
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公开(公告)号：CN111627901B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010500385.3
申请日：2020-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种JFET触发的可编程双向抗浪涌保护器件，属于功率半导体技术领域，用于保护SLIC免受因雷电等因素引起的浪涌过电压干扰。该保护器件由两个保护单元组成，包括四个JFET和四个晶闸管。四个分立的JFET分别为每个晶闸管保护部分提供独立控制，JFET的栅端分别与SLIC负电源电压及正电源电压相连，当电话线上正电压增加使得正电源电压与电话线正电压差值低于设定的夹断电压或者当电话线上负电压减小使得负电源电压与电话线负电压差值高于设定的夹断电压时，器件开启并将浪涌传导到地，实现可编程双向保护。本发明JFET工艺与晶闸管工艺兼容，易于单片集成；且JFET输入阻抗高，为单极型器件，使本发明器件整体噪声小，功耗低，温度特性好，对浪涌响应更快。
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公开(公告)号：CN111627905B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010501486.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种LDMOS触发的可编程单向保护器件，属于功率半导体技术领域。该单向保护器件通过一个由LDNMOS和NPNP晶闸管组成的负向保护结构提供电话线上负向浪涌保护；或者通过一个由LDPMOS和PNPN晶闸管组成的正向保护结构提供电话线上正向浪涌保护，避免了SLIC受到雷电等因素造成的浪涌冲击而损坏整机系统。另外，与已有的半导体抗浪涌保护器件相比，本发明LDMOS工艺与晶闸管工艺兼容，可单片集成；且LDMOS为单极型器件，相比使用三极管，功耗更低，开关速度也更快，利于该保护器件对浪涌更快响应且实现有效防护，此外，LDMOS有较好的温度特性，可防止热耗散的影响。
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公开(公告)号：CN109768089B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910062554.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种基于SenseFET的压控采样器件，第二导电类型半导体漂移区上表面设有第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区，第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区位于第一导电类型半导体掺杂区的右侧、第二导电类型半导体掺杂区的左侧，第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区之间具有电压感测电极；本发明器件在开启周期可通过栅极实现采样电流的可控性，关断周期可以实现芯片自供电，在实现原有电流采样功能的基础上，器件在导通过程中可以实现从低电压到高电压瞬态的电压跟随，以检测漏极电压的变化，且采样电压的采样比可控。
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公开(公告)号：CN111640787A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010535896.9
申请日：2020-06-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种具有多沟槽的LDMOS器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种具有多沟槽的LDMOS器件，通过沟槽刻蚀改变第二导电类型扩散区的形貌，实现均匀分布的掺杂，以此来优化表面的电场分布，减小漂移区的面积，另外还改善了两侧结的形貌，提高器件的反向阻断电压，同时可以改善导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111640785A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010535078.9
申请日：2020-06-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种具有多沟槽的LIGBT器件，通过沟槽刻蚀和高温退火扩散，改善阳极下方第二导电类型半导体重掺杂扩散区形貌，节省了区域面积，同时实现了该区域的均匀掺杂，从而使电导调制效应加强，且获得更低的导通压降、导通电阻和正向导通功耗；通过在第一导电类型漂移区中形成第二导电类型多晶硅沟槽区，可以实现更优的电场分布，从而获得更好的阻断特性以及面积优化。
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公开(公告)号：CN109742139A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910061974.3
申请日：2019-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种基于LIGBT的单栅控制电压电流采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、衬底电极、外延氧化层、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阳极区、第一金属电极、第一导电类型半导体体区、氧化层、金属栅极、第一导电类型半导体掺杂区、第二导电类型半导体阴极区、第一导电类型半导体掺杂区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阴极区、第三金属电极、第四金属电极、第五金属电极、第二金属电极，器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。
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公开(公告)号：CN111640786B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010535106.7
申请日：2020-06-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种具有多沟槽的LIGBT器件，通过沟槽刻蚀改变第二导电类型体区形貌，实现体区均匀分布的掺杂，可以改善第一导电类型漂移区与第二导电类型体区接触的结的形貌，以此来优化漂移区与体区接触区域的电场分布，提高器件的反向阻断电压以及过电流能力，同时也可以减小芯片面积。
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公开(公告)号：CN111968970A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010886061.8
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种ESD保护器件。本发明相比于传统的横向SCR，优化了体内的电场分布，增大了体内的过电流面积，从而增大了器件的过电流能力，提高了器件的ESD保护能力，同时通过深槽的结构，减小了器件的横扩，可以实现在相同面积下更高的维持电压。本发明既充分利用SCR结构强泄流能力的特点，又通过深槽结构实现SCR在相同面积下更高的维持电压，可以实现高维持电压、低导通电阻、强鲁棒性等ESD保护性能。
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公开(公告)号：CN111640786A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010535106.7
申请日：2020-06-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种具有多沟槽的LIGBT器件，通过沟槽刻蚀改变第二导电类型体区形貌，实现体区均匀分布的掺杂，可以改善第一导电类型漂移区与第二导电类型体区接触的结的形貌，以此来优化漂移区与体区接触区域的电场分布，提高器件的反向阻断电压以及过电流能力，同时也可以减小芯片面积。
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