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公开(公告)号:CN112968067A
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202110212589.1
申请日:2021-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi掺杂硫锑银的无机薄膜太阳能电池及其制备方法,涉及无机多元化合物薄膜光伏研究领域,所述无机薄膜太阳能电池采用正置结构,从下到上依次为衬底,透明导电阴极ITO,缓冲层,无机光吸收层,金属阳极,所述无机光吸收层为Bi掺杂AgSbS2无机光吸收层薄膜。本发明通过掺入Bi元素(掺杂摩尔量为Bi/(Bi+Sb)=1~5%),能够对AgSbS2薄膜的表面缺陷进行填充与钝化,提高了薄膜的质量,提高了电池的短路电流密度、开路电压和填充因子,使电池的转换效率得到提高。
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公开(公告)号:CN115101611B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202210692893.5
申请日:2022-06-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了基于AgSbS2吸收层的无机太阳能电池及其制备方法,属于无机光伏发电领域。本发明提供的太阳能电池采用正置结构,从下到上依次为衬底,透明导电电极ITO,CdS缓冲层,AgSbS2吸收层,金属电极;其中AgSbS2缓冲层是以硝酸银作为银源,醋酸锑作为锑源,采取溶剂热法制备了AgSbS2膜。与现有的技术相比,本发明采用溶剂热法沉积AgSbS2吸收层,通过将硝酸银和硫脲溶于乙二醇甲醚溶剂和醋酸锑溶于冰乙酸溶剂,然后将两者混合作为前驱体溶液,在磁力搅拌水热反应釜中进行反应,通过调控温度与时间制备出结晶性较好的AgSbS2薄膜,器件(56)对比文件Jesus Capistran-Martınez etal.Photoconductive thin films of AgSbS2with cubic crystalline structure in solarcells《.Physica status solidi A-Applications and Materials Science》.2015,第212卷(第12期),第2870页.明帅强.三元量子点-聚合物杂化太阳能电池性能研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》.2019,(第02期),第C042-993页.
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公开(公告)号:CN112968068A
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202110212591.9
申请日:2021-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多级原位热处理的无机太阳能电池,属于无机薄膜光伏发电领域,所述无机太阳能电池采用正置结构,从下到上依次为衬底,透明导电电极ITO,CdS缓冲层,Sb2Se3吸收层及金属电极,所述Sb2Se3吸收层制备后采用多级原位进行热处理。在原位热处理的基础上进一步的协同应用多级原位处理,即在硒化氢与硫化氢气氛中进行热退火处理,向Sb2Se3薄膜补充硒原子和硫原子,填补缺陷,促进晶体再次生长,从而提高薄膜的平整度,减少缺陷,进一步的提高薄膜质量,提升光伏器件性能。
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公开(公告)号:CN115101611A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210692893.5
申请日:2022-06-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了基于AgSbS2吸收层的无机太阳能电池及其制备方法,属于无机光伏发电领域。本发明提供的太阳能电池采用正置结构,从下到上依次为衬底,透明导电电极ITO,CdS缓冲层,AgSbS2吸收层,金属电极;其中AgSbS2缓冲层是以硝酸银作为银源,醋酸锑作为锑源,采取溶剂热法制备了AgSbS2膜。与现有的技术相比,本发明采用溶剂热法沉积AgSbS2吸收层,通过将硝酸银和硫脲溶于乙二醇甲醚溶剂和醋酸锑溶于冰乙酸溶剂,然后将两者混合作为前驱体溶液,在磁力搅拌水热反应釜中进行反应,通过调控温度与时间制备出结晶性较好的AgSbS2薄膜,器件制备工艺简单,组成元素无毒无害,环境友好,易于实现大面积生产,具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN112563343A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN202011432781.3
申请日:2020-12-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0392 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Zn1‑xMgxO缓冲层的无机太阳能电池及其制备方法,属于无机薄膜光伏发电领域,本申请文件中的电池采用透明衬底及透明导电电极ITO所组成的基板进行清洗,清洗后烘干;在透明洗净的基片上喷涂制备Zn1‑xMgxO缓冲层,缓冲层制备方法包括:1)配置前驱体溶液,称取一定比例(Mg2+/Zn2++Mg2+≈20%)的二水乙酸锌和四水乙酸镁作为锌源和镁源,在加入适量的冰乙酸作为PH调节剂,分别以去离子水、甲醇、去离子水+甲醇、去离子水+甲醇+乙醇为溶剂,配置成前驱体溶液;2)将洗净干燥的基片置放至喷涂仪设备中,调整加热台温度400℃,动力气流流速12ml/min,喷头高度1cm。利用X射线衍射仪(XRD)测试Zn1‑xMgxO薄膜晶体结构,得到衍射谱图。
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