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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108892172B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201810968805.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高相变潜热的VO2粉体的制备方法。属于节能环保材料技术领域。本发明采用复合退火工艺处理B相VO2粉体，即先进行短时氧气氛退火，然后再进行原位真空退火，从而制得M相VO2粉体。运用本发明方法制得产物的相变潜热值均大于30J/g，相比传统真空退火工艺而言提高了35％以上，相变潜热的提高对于M相VO2粉体的智能控性能具有关键影响，有利于吸收环境更多的热量以调节环境温度。本发明所提供的基于复合退火工艺对于设备要求低，与传统工艺兼容性强，操作简单，可控性强，有望得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN108993462A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810926712.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01J21/06 , B01J21/18 , B01J37/08 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 一种高可见光催化活性C掺杂纳米TiO2的制备方法，属于光催化技术领域。本发明选择C量子点作为碳掺杂源，采用控制水解法和快速退火处理两步工艺制备，使得C原子进入锐钛矿型TiO2纳米晶的晶格内，有效调制TiO2的能带宽度，拓宽TiO2对光的响应范围，增强材料整体上对可见光的吸收；相比传统烧结工艺，既能维持锐钛矿型TiO2纳米晶结构，使其不向光催化能力较差的金红石型TiO2转换，又能避免颗粒团聚造成的性能损耗，该方法制得材料晶粒尺度小于10nm，相比未掺杂的锐钛矿型纳米TiO2，显著提高了材料的光催化性能；此外，本发明提供的制备方法反应条件温和，操作简单，能耗少，成本低，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108998759B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810897026.9
申请日：2018-08-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提高多层二硫化钼薄膜间接带隙发光性能的方法，包括通过物理气相沉积方法对多层二硫化钼薄膜表面沉积铂纳米颗粒，铂纳米颗粒的颗粒尺寸小于10纳米；具有铂纳米颗粒的颗粒尺寸小于10纳米，能够提高多层二硫化钼薄膜的间接带隙发光性能，相对于纯的多层二硫化钼薄膜，间接带隙发光性能提高，且优于银纳米颗粒对多层二硫化钼薄膜间接带隙发光性能的提高，有利于提高光探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108998759A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810897026.9
申请日：2018-08-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提高多层二硫化钼薄膜间接带隙发光性能的方法，包括通过物理气相沉积方法对多层二硫化钼薄膜表面沉积铂纳米颗粒，铂纳米颗粒的颗粒尺寸小于10纳米；具有铂纳米颗粒的颗粒尺寸小于10纳米，能够提高多层二硫化钼薄膜的间接带隙发光性能，相对于纯的多层二硫化钼薄膜，间接带隙发光性能提高，且优于银纳米颗粒对多层二硫化钼薄膜间接带隙发光性能的提高，有利于提高光探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108892172A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810968805.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高相变潜热的VO2粉体的制备方法。属于节能环保材料技术领域。本发明采用复合退火工艺处理B相VO2粉体，即先进行短时氧气氛退火，然后再进行原位真空退火，从而制得M相VO2粉体。运用本发明方法制得产物的相变潜热值均大于30J/g，相比传统真空退火工艺而言提高了35％以上，相变潜热的提高对于M相VO2粉体的智能控性能具有关键影响，有利于吸收环境更多的热量以调节环境温度。本发明所提供的基于复合退火工艺对于设备要求低，与传统工艺兼容性强，操作简单，可控性强，有望得到广泛应用。
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