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公开(公告)号：CN115241066A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210514712.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法，方法包括：制备外延基片，外延基片由下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；在缓冲层上制作源电极和漏电极；在势垒层上制作有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极和势垒层上生长介质层；在介质层的预设组合凹槽内制作栅电极，其中，栅电极位于源电极和漏电极之间，预设组合凹槽为由沿栅宽方向在介质层内呈间隔排列的多个凹槽组合而成；在金属互联开孔区的源电极和漏电极以及未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，以蒸发形成金属互联层。本发明的势垒层完全被介质层保护，从而避免了刻蚀损伤带来的器件电学性能的退化。
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公开(公告)号：CN114843335A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210205185.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/08 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法，采用高极化强度低方阻异质结材料进行器件制备；光刻定义出源极的欧姆再生长区域；在光刻胶的掩蔽下，对源极欧姆再生长区域的氮化物进行刻蚀；外延n+GaN；光刻定义出自终止刻蚀区域；在光刻胶的掩蔽下，对自终止刻蚀区域的n+GaN进行自终止刻蚀；对器件隔离区域再次进行自终止刻蚀以去除未被光刻胶保护区域的表面n+GaN。本发明制备的器件工作电压增加时，源极势垒高度发生降低、势垒厚度发生减薄使得源极再生长台阶(Ledge)与2DEG沟道间发生热电子转移或者隧穿等，使得源极导电通路增加，削弱了由于电流增加导致源极接入电阻的增加，使得GaN HEMT的线性度提升。
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公开(公告)号：CN114447113A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111566917.4
申请日：2021-12-20
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了基于栅下图形化的新型Fin结构GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件包括：外延基片、源电极区、漏电极区、钝化层、欧姆金属、第二势垒层和栅电极；其中，所述外延基片自下而上包括衬底层、成核层、缓冲层和第一势垒层；所述第一势垒层位于所述缓冲层上方；源电极区和漏电极区位于缓冲层和第一势垒层两侧；所述欧姆金属位于所述源电极区和所述漏电极区的上方；所述钝化层覆盖在所述第一势垒层和所述欧姆金属上，且所述钝化层中间有预设栅槽区域；所述预设栅槽区域的深度等于或大于钝化层深度；所述第一势垒层上包括预设阵列凹槽区域；所述第二势垒层覆盖在所述预设阵列凹槽区域上；所述第二势垒层上覆盖有栅电极。本发明器件具有高电流、高功率输出能力。
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公开(公告)号：CN114300359B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111372202.5
申请日：2021-11-18
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N沟道的势垒沟道复合层、第一势垒层和帽层；N沟道的势垒沟道复合层包括间隔生长的第二势垒层与沟道层；在帽层上根据刻蚀图形和刻蚀占比光刻出欧姆图形化阵列区域，根据欧姆图形化阵列区域刻蚀帽层形成欧姆接触槽阵列；在帽层上光刻出源电、漏电极区域，分别在源、漏电极区域内的帽层上和欧姆接触槽阵列内形成源、漏电极；在帽层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层的中间区域直至帽层形成栅槽；在栅槽内和栅槽两侧的钝化层上形成T型栅电极；在源、漏和T型栅电极上沉积互联金属。本发明可以应用于高频高线性器件。
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公开(公告)号：CN114300359A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111372202.5
申请日：2021-11-18
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/10 , H01L29/45 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N沟道的势垒沟道复合层、第一势垒层和帽层；N沟道的势垒沟道复合层包括间隔生长的第二势垒层与沟道层；在帽层上根据刻蚀图形和刻蚀占比光刻出欧姆图形化阵列区域，根据欧姆图形化阵列区域刻蚀帽层形成欧姆接触槽阵列；在帽层上光刻出源电、漏电极区域，分别在源、漏电极区域内的帽层上和欧姆接触槽阵列内形成源、漏电极；在帽层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层的中间区域直至帽层形成栅槽；在栅槽内和栅槽两侧的钝化层上形成T型栅电极；在源、漏和T型栅电极上沉积互联金属。本发明可以应用于高频高线性器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119451159A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411531398.1
申请日：2024-10-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有源区驱动力再分配的器件、制备方法及版图结构，该器件结构包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源电极、漏电极以及栅电极；衬底层、成核层、缓冲层、沟道层以及势垒层自下而上依次层叠设置，形成外延基片；外延基片中形成有源极有源区和漏极有源区；源电极和漏电极对应设置在源极有源区一侧和漏极有源区一侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间；源极有源区和漏极有源区在栅电极两侧呈非对称分布。该方案只需在常规器件标准工艺的基础上更改欧姆和有源区隔离两步光刻的掩模版，无需引入额外的工序，在未增加工艺复杂度和制备成本的情况下改善了器件线性度，实现了成品率、稳定的器件性能和高线性之间的兼容。
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公开(公告)号：CN116598350B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310330757.6
申请日：2023-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于原位SiNx的GaN HEMT器件及其制备方法，包括：衬底，以及依次设置于衬底上的GaN缓冲层、高极化强度薄势垒层、原位SiNx层；隔离区，位于器件两端，并贯穿原位SiNx层和高极化强度薄势垒层，直至部分GaN缓冲层内；钝化层，位于隔离区和原位SiNx层上；源、漏电极，位于靠近隔离区的器件两端，并贯穿钝化层直至部分原位SiNx层内；其中，源、漏电极在退火过程中下渗，直至部分GaN缓冲层内；T型栅电极，贯穿钝化层和原位SiNx层，直至高极化强度薄势垒层的上表面，以及位于部分钝化层上。本发明可以低成本实现低欧姆接触电阻，并设计制备高频GaN HEMT器件，满足5G及6G应用要求。
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公开(公告)号：CN118427522A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410515195.7
申请日：2024-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F18/10 , G06F18/214 , G06N3/084 , G06N3/0499 , G01S7/41
Abstract: 本发明公开了基于模型深度学习网络的弹性多普勒互补序列设计方法，包括以下步骤：S1.进行弹性多普勒互补序列设计建模，构建CMC与EC约束下的双变量问题；S2.构建统一约束空间，将双变量问题转换为无约束的优化问题；S3.将转换后的问题的目标函数作为深度学习网络的损失函数，构建模型驱动的深度学习网络来求解。本发明通过将CMC和EC相结合，构造了一个统一的约束空间，并将该问题转化为该空间上的无约束优化问题；然后，我们推导了双变量的并行梯度，并将GP算法构造为深度学习网络的展开层；最后，我们将该问题的目标函数作为网络的损失函数，并通过自适应更新GP算法迭代步长，实现了该问题的并行优化。
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公开(公告)号：CN118292028A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410248426.2
申请日：2024-03-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/054 , C25B1/27 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了镍修饰铜基单原子合金氧化物纳米线的制备方法及其应用于电催化硝酸根还原制氨，该催化剂在碱性介质中表现出了优异的电催化硝酸根还原制氨的催化性能，理论和实验证明镍单原子位点修饰的铜基氧化物纳米线表面促进了铜基氧化物纳米线表面水的解离过程，提高了其表面的活性氢物种的数量，降低了中间体*NO2转化为*NOOH和*NO转化为*NOH的反应能垒，从而促进了电催化硝酸根还原制氨时中间体*NO2的加氢反应。减少了由于*NO2脱附而形成的副产物NO2‑的生成，增强了其将NO2‑转化为NH3的能力，从而获得了优异的硝酸根还原制氨的活性和选择性。
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公开(公告)号：CN113113478B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110225408.9
申请日：2021-03-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：采用干法刻蚀工艺对GaN基异质结的欧姆区域进行刻蚀，形成欧姆再生长区域以进行欧姆再生长；S3：在器件表面外延生长n+GaN层；S4：采用干法刻蚀工艺对n+GaN层进行自终止刻蚀，去除欧姆再生长区域之间的n+GaN层；S5：利用离子注入设备，在器件的两侧形成隔离区；S6：在n+GaN层上淀积金属，形成源极和漏极；S7：在器件表面形成钝化层；S8：采用干法刻蚀工艺对栅极区域的钝化层进行刻蚀，形成栅极凹槽，在栅极凹槽淀积金属形成栅极。本发明的制备方法，简化了欧姆再生长的制备工艺，同时延续了常规欧姆再生长技术的优势。
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