一种GaN功率器件多芯片堆叠封装结构

    公开(公告)号:CN116631993A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310672586.5

    申请日:2023-06-07

    Abstract: 本发明涉及功率半导体技术,特别涉及一种GaN功率器件多芯片堆叠封装结构。GaN功率器件多芯片堆叠封装结构包括GaN芯片、衔接板和底座基板。衔接板上有通孔和三个电极,第一和第二电极设置在衔接板的正面,第三电极则通过通孔设置在衔接板的背面;GaN芯片设置在衔接板上,GaN芯片的栅极和第一电极电性连接,GaN芯片的源极和漏极分别与第二和第三电极电性连接;衔接板可固定插入到底座基板上,GaN芯片可进行堆叠分布,并与底座基板对应的电极部分电性连接。相比于传统的GaN功率器件封装形式,本发明能够进一步减小PCB板上的占用面积,提高器件的功率密度。

    一种基于高考大数据的院校录取成绩预测方法

    公开(公告)号:CN111210096A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010218247.6

    申请日:2020-03-25

    Abstract: 该发明公开了一种基于高考大数据的院校录取成绩预测方法,属于数据挖掘领域。本发明提取了高考数据中影响录取成绩的重要特征:专业数、计划数以及录取级差。计划数是指当年各院校文理各科总招生人数;录取级差是指院校录取考生中最高分与最低分的差值。除此以外,基于高考志愿填报的特点,本发明还考虑到各高校之间会有竞争关系的存在,即某一高校的招生人数变化,影响到其他高校的录取情况。本发明提供的模型先使用同位分法进行预测,得到粗略预测值;再利用上述重要特征,使用集成学习模型,拟合出录取成绩变化率,与粗略预测值结合,得到初步预测值;最后利用无监督聚类模型对高校进行划分,拟合高校间的竞争关系,调整初步预测值,得到最终预测结果。

    多元LDPC码基于EMS的分段式补偿高性能译码方案

    公开(公告)号:CN110166171A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201810228541.8

    申请日:2018-03-19

    Abstract: 本发明改进了基于EMS的多元LDPC码译码方案,主要解决了多元LDPC码因其译码复杂度太高导致适用受限的问题。在有限域GF(q)中,其具体实现步骤如下:1)对从加性高斯白噪声信道接收的每个符号进行对数似然比值计算,得到的结果组成一个q维向量,将计算所得对数似然比值向量作为校验矩阵的初始化信息;2)根据分段补偿方式将校验矩阵H中每个非零位进行置换;3)根据校验矩阵H进行多元LDPC码校验节点更新;4)将校验矩阵中的每个非零位根据有限域除法进行反置换;5)根据校验矩阵H进行变量节点更新;6)根据变量节点更新结果作出译码判决,根据判决码字是否满足译码终止条件选择输出码字或继续执行上述过程。

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