公开(公告)号：CN118070725A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410211026.4

申请日：2024-02-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 聂宝林 ,  王佳宝 ,  张伟 ,  张慧玲 ,  张喜 ,  杜平安

IPC: G06F30/36 ,  G06F30/39 ,  G06F119/06

Abstract: 本发明公开一种屏蔽线缆高频电磁辐射的计算方法，应用于屏蔽线缆设计领域，针对电磁辐射问题已成为导致设备不能满足有关EMC标准的主要原因，而现有屏蔽线缆的电磁辐射预测存在周期长、适用频率范围有限的问题；本发明利用屏蔽衰减衡量线缆的电磁屏蔽性能，在高频范围内建立了芯线电流与屏蔽层电流的函数关系式；然后基于屏蔽层电流分布特性建立线缆电偶极子阵列等效模型，采用电偶极子辐射场的叠加原理建立线缆电磁辐射的计算方法；本发明方法的能够准确计算高频范围内屏蔽线缆的电磁辐射，从而准确评估线缆在高频范围内的电磁辐射水平。此外，本发明的方法获取仅需提供线缆的相关参数，即可准确、高效地计算线缆在高频范围内的电磁辐射。

公开(公告)号：CN115113128B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202210965677.3

申请日：2022-08-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 聂宝林 ,  张伟 ,  王金坪 ,  王佳宝 ,  杜平安 ,  于亚婷

IPC: G01R35/00

Abstract: 本发明公开了一种电磁场近场探头校准补偿方法，首先在测量环境下记录电磁场近场探头接收到的环境噪声数据，将电磁场探头放置在校准件或已知磁场分布的电子件上方固定位置，记录电磁场近场探头接收到的数据，根据探头结构建立探头仿真模型，建立校准件的仿真模型，在全波仿真软件中，将探头模型放置在校准件模型上方固定位置，记录探头端口接收到的数据，使用全波仿真软件或解析方法，单独计算校准件在固定位置的电场或磁场数据，考虑测量器件的传输损耗、环境噪声、探头自身对电磁场的扰动三个因素，对探头进行校准与补偿。本发明的方法适用于多种测量仪器，受校准件的限制少，提高了电磁场近场探头测量的精确度，可广泛用于电磁场近场测量领域。

公开(公告)号：CN115293074A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210965684.3

申请日：2022-08-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 聂宝林 ,  张伟 ,  王金坪 ,  王佳宝 ,  杜平安 ,  于亚婷

IPC: G06F30/30 ,  G06F30/27 ,  G06F115/12

Abstract: 本发明公开了一种快速评估PCB间耦合参数的方法，通过获取需要评估耦合参数的两个PCB的近场磁场信息，建立两个PCB的磁偶极子等效模型，确认需要评估耦合参数的两个PCB所处相对位置信息，放入辐射源PCB与受扰源PCB等效模型，使用假想惠更斯面，包围受扰源PCB，移走受扰源PCB，分割假想惠更斯面，计算各面元外表面磁场，移走辐射源PCB，将受扰源PCB放入假想惠更斯面内，分割假想惠更斯面，计算各面元内表面磁场，运用互易原理，对前项后项公式推导，计算两个PCB间耦合参数。本发明的方法获取需要评估耦合参数的两个PCB的近场磁场信息，便可快速评估出两个PCB间的耦合参数，具有评估速度快、不受测试场地与设备条件限制、不需实际测试等优点。

公开(公告)号：CN115113128A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210965677.3

申请日：2022-08-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 聂宝林 ,  张伟 ,  王金坪 ,  王佳宝 ,  杜平安 ,  于亚婷

IPC: G01R35/00

Abstract: 本发明公开了一种电磁场近场探头校准补偿方法，首先在测量环境下记录电磁场近场探头接收到的环境噪声数据，将电磁场探头放置在校准件或已知磁场分布的电子件上方固定位置，记录电磁场近场探头接收到的数据，根据探头结构建立探头仿真模型，建立校准件的仿真模型，在全波仿真软件中，将探头模型放置在校准件模型上方固定位置，记录探头端口接收到的数据，使用全波仿真软件或解析方法，单独计算校准件在固定位置的电场或磁场数据，考虑测量器件的传输损耗、环境噪声、探头自身对电磁场的扰动三个因素，对探头进行校准与补偿。本发明的方法适用于多种测量仪器，受校准件的限制少，提高了电磁场近场探头测量的精确度，可广泛用于电磁场近场测量领域。

公开(公告)号：CN115293074B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202210965684.3

申请日：2022-08-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 聂宝林 ,  张伟 ,  王金坪 ,  王佳宝 ,  杜平安 ,  于亚婷

IPC: G06F30/30 ,  G06F30/27 ,  G06F115/12

Abstract: 本发明公开了一种快速评估PCB间耦合参数的方法，通过获取需要评估耦合参数的两个PCB的近场磁场信息，建立两个PCB的磁偶极子等效模型，确认需要评估耦合参数的两个PCB所处相对位置信息，放入辐射源PCB与受扰源PCB等效模型，使用假想惠更斯面，包围受扰源PCB，移走受扰源PCB，分割假想惠更斯面，计算各面元外表面磁场，移走辐射源PCB，将受扰源PCB放入假想惠更斯面内，分割假想惠更斯面，计算各面元内表面磁场，运用互易原理，对前项后项公式推导，计算两个PCB间耦合参数。本发明的方法获取需要评估耦合参数的两个PCB的近场磁场信息，便可快速评估出两个PCB间的耦合参数，具有评估速度快、不受测试场地与设备条件限制、不需实际测试等优点。