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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111539967A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010333623.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种焦平面太赫兹成像中干涉条纹区域识别与处理方法及系统，包括：对焦平面太赫兹成像中得到的图像进行全局阈值分割,获取图像的全局阈值，得到第一图像；判断第一图像是否亮度不均：是则对第一图像进行局部阈值分割得到第二图像，对第二图像进行条纹识别，得到第二图像的暗条纹区域，并将第一图像的暗条纹区域和第二图像的暗条纹区域进行合并并进行条纹消除，得到第三图像；否则对第一图像进行条纹识别，得到第一图像的暗条纹区域并进行条纹消除处理，得到第四图像。对所述第三图像或第四图像进行图像增强处理。本发明能够消除图像中大面积干涉条纹对目标物的干扰的同时还能够大大提高图像的质量。
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公开(公告)号：CN111947794A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010765342.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明涉及红外单光子探测技术领域，具体涉及一种超导纳米线单光子探测器的制备方法，具体为：在衬底基片上制备纳米线台阶结构；在具有所述纳米线台阶结构的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构；采用掩膜板A在所述超导纳米线结构的两端制备金属电极接触层；采用掩膜板B在所述超导纳米线结构和金属电极接触层上制备绝缘保护层。该制备方法通过先在衬底基片上制备纳米线台阶结构，后在具有纳米线台阶的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构，避免了对超导材料进行光刻与刻蚀加工，这种制备方法可以实现超导纳米线结构的制备并避免超导材料受到加工工艺的影响，保证超导纳米线器件的稳定性能。
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公开(公告)号：CN119698009A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411845809.4
申请日：2024-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，提供一种沟槽型氧化镓二极管及其终端结构，包括肖特基二极管与单极型二极管；对于肖特基二极管，沟槽内填充的P型氧化物层与氧化镓外延层形成异质结，提高了器件的抗浪涌能力，增强了电导调制效应，同时，通过P型氧化物层下方的高阻区屏蔽沟槽底部尖角处异质结界面的反向电场，减小器件的漏电流，提升器件可靠性；对于单极型二极管，器件反向耐压时N型重掺杂氧化镓导电层下方的氧化镓外延层与两侧沟槽的P型氧化物相互耗尽，使导电沟道关闭，避免了肖特基二极管中肖特基接触漏电流大的问题，提升了器件的可靠性；并且，本发明还提供了对应的终端结构，能够有效提升器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN111539967B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010333623.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种焦平面太赫兹成像中干涉条纹区域识别与处理方法及系统，包括：对焦平面太赫兹成像中得到的图像进行全局阈值分割,获取图像的全局阈值，得到第一图像；判断第一图像是否亮度不均：是则对第一图像进行局部阈值分割得到第二图像，对第二图像进行条纹识别，得到第二图像的暗条纹区域，并将第一图像的暗条纹区域和第二图像的暗条纹区域进行合并并进行条纹消除，得到第三图像；否则对第一图像进行条纹识别，得到第一图像的暗条纹区域并进行条纹消除处理，得到第四图像。对所述第三图像或第四图像进行图像增强处理。本发明能够消除图像中大面积干涉条纹对目标物的干扰的同时还能够大大提高图像的质量。
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公开(公告)号：CN111947794B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010765342.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明涉及红外单光子探测技术领域，具体涉及一种超导纳米线单光子探测器的制备方法，具体为：在衬底基片上制备纳米线台阶结构；在具有所述纳米线台阶结构的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构；采用掩膜板A在所述超导纳米线结构的两端制备金属电极接触层；采用掩膜板B在所述超导纳米线结构和金属电极接触层上制备绝缘保护层。该制备方法通过先在衬底基片上制备纳米线台阶结构，后在具有纳米线台阶的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构，避免了对超导材料进行光刻与刻蚀加工，这种制备方法可以实现超导纳米线结构的制备并避免超导材料受到加工工艺的影响，保证超导纳米线器件的稳定性能。
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