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公开(公告)号:CN119727620A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411783822.1
申请日:2024-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带低噪声放大器,属于单片微波集成电路技术领域;包括:级联的电流复用结构低噪声放大器和平衡式低噪声放大器;电流复用低噪声放大器,包括:依次级联的第一级和第二级放大电路;平衡式低噪声放大器,包括:两个折叠兰格耦合器和两个放大支路;该两个放大支路均为相同的两级放大电路结构,包括级联的相同结构的第三级和第四级放大电路;各个放大电路中的放大器件均采用PHEMT管,所述宽带低噪声放大器集成于单片砷化镓上。本发明通过结合电流复用技术、兰格耦合器折叠技术、负反馈技术和平衡式结构,有效降低噪声系数、减小功耗、减小版图面积,提升传统平衡式低噪声放大器的性能。