公开(公告)号：CN111828921A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010926845.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 电子科技大学中山学院

Inventor： 石世光 ,  夏百战 ,  杨宏伟

IPC: F21S9/03 ,  F21V23/04 ,  F21V29/74 ,  F21V29/85 ,  F21W131/103 ,  F21Y115/10

Abstract: 一种太阳能路灯，包括灯杆、照明灯、太阳能电池板、主机箱、光敏传感器和红外探测器；主机箱内设有逆变器、电源模块和单片机；照明灯包括第一壳体、散热板、第二环形板、安装板、驱动电源、基板和第二壳体；安装板连接第一壳体；第一壳体上设有第一环形板；第二壳体上设有第二环形板；第二环形板、第一环形板和散热板可拆卸连接；驱动电源和基板分别设置在散热板上；基板上设有灯珠；红外探测器和光敏传感器连接单片机；单片机的信号输出端分别连接照明灯的信号输入端；太阳能电池板通过安装架连接灯杆，太阳能电池板连接逆变器；逆变器连接用于为上述用电器元件供电的电源模块。本发明使用方便能智能控制照明灯的开启，照明灯的散热性好。

公开(公告)号：CN103467082A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310392539.1

申请日：2013-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 谢建良 ,  董长顺 ,  曹振华 ,  杨宏伟 ,  邓龙江

IPC: C04B35/26 ,  C09K3/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于毫米波的W型铁氧体吸收剂，即用于26.5GHz～40GHz频段的吸收剂。该吸收剂制备原材料为BaCO3、Co2O3、ZnO、Fe2O3；发明人采用传统的固相反应法，步骤主要有配料、球磨、预烧、粉碎、烧结；从而制备得到W型铁氧体吸收剂。本发明制备的W型铁氧体吸收剂在26.5GHz～40GHz频段上具有磁导率高、磁损耗高、较低的介电常数等优点，克服了金属软磁材料吸收剂和一般铁氧体吸收剂的不足之处，使其在制成吸收剂时具有优良的吸波性能；相比于M型铁氧体吸收剂，该吸收剂制备原料中Co2O3、ZnO均比CoO、TiO2廉价易得，同时Co的取代量减小，且降低了烧结温度，有效降低了成本；吸波性能也更优。

公开(公告)号：CN103173683A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310108515.9

申请日：2013-03-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 梁迪飞 ,  张先智 ,  杨宏伟 ,  田炜 ,  王昕 ,  陈良 ,  邓龙江

IPC: C22C38/34 ,  C22C33/02 ,  B22F9/04

Abstract: 本发明涉及一种合金微粉电磁波吸收剂及其制备方法。该合金微粉电磁波吸收剂的主要成分为：Fe、Si、Cr。所制备的合金微粉电磁波吸收剂具有优异的动态磁性能，且制备工艺简单，设备要求低，适用于大批量生产。

公开(公告)号：CN103803963A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310738102.9

申请日：2013-12-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 梁迪飞 ,  王亮 ,  杨宏伟 ,  关梦然 ,  陈良 ,  谢建良 ,  邓龙江

IPC: C04B35/30 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法，涉及电子材料。该材料包括主成份配方和掺杂成份，主成份配方为：65wt%≤Fe2O3≤70wt%，14wt%≤ZnO≤18wt%，13wt%≤NiO≤16wt%，0wt%＜CuO≤4.5wt%；掺杂成份为：0＜Co2O3≤0.6wt%，0＜Bi2O3≤4wt%。其制备方法采用普通氧化物制备法，在1030℃～1070℃预烧，930℃～950℃烧结。工艺流程简单、无污染且适于大批量生产。本发明能制备出的铁氧体材料，烧结温度低于960℃的基础上，不仅具有高的磁导率，而且具有低的磁损耗，其中在13.56MHz具有当磁导率实部μ′为170左右时，磁导率虚部μ″为2以下。由于优质的高频特性，可在EMI、SMD、MLCI等领域广泛应用。

公开(公告)号：CN103382106A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310265002.9

申请日：2013-06-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 梁迪飞 ,  杨宏伟 ,  张先智 ,  张楠 ,  陈良 ,  谢建良 ,  邓龙江

IPC: C04B35/26 ,  H01F1/36 ,  H01F41/02

Abstract: 高导高损NiCuZn铁氧体材料、磁片及制备方法，涉及电子材料技术。本发明的铁氧体材料包括主成分和掺杂成分，其特征在于，主成分配方和掺杂成分皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主成分配方为：Fe2O350mol%～52mol%，ZnO18mol%～29mol%，NiO18mol%～28mol%，CuO2.5mol%～6mol%；以质量百分比计算，掺杂成分为：Co2O30～0.6wt%。本发明通过工艺简单、无污染且适于大批量生产的氧化物烧结工艺制备了具有高磁导率、高损耗的铁氧体材料、铁氧体磁片。

公开(公告)号：CN102701720A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210149588.8

申请日：2012-05-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 梁迪飞 ,  薛志 ,  陈良 ,  李维佳 ,  杨宏伟

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高导低损铁氧体材料、铁氧体薄膜及制备方法，涉及电子材料。本发明包括主要成分和掺杂成份，其特征在于，主要成分和掺杂成份皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主要成分为：Fe2O3：50mol%，NiO：20mol%～30mol%，ZnO：15mol%～25mol%，CuO：5mol%；以重量百分比计算，掺杂成份为：CoO：0～1.2wt%，V2O5：0～1.2wt%。本发明的制备方法为普通氧化物法，操作和工艺流程简单无污染。制备出的铁氧体材料除了具有较高的磁导率外，损耗很小，其中在13.56M具有当μ′为100左右时，μ″小于2。且制得的铁氧体膜厚度和尺寸可调，表面光滑平整，密度轻。