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公开(公告)号：CN111628255B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010496272.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，信号层上设置有SIR谐振器、非对称阶跃短截线和馈电线路，所述信号层与所述第一金属层耦合连接，所述第一金属层为缺陷结构金属层，所述第二金属层为接地金属层，所述第一金属层与所述第二金属层组成封装缺陷地结构PDGS。第一金属层和第二金属层构成PDGS结构，该结构相对于传统的DGS结构增加了一层额外的地层，可以将电磁场限制在一个准腔体中，故而可以减小辐射损耗，从而降低滤波器的插入损耗。相对于传统的DGS结构而言，增加的额外一层地层使得传输线的分布电容增大，从而同样尺寸的情况下谐振频率左移，更容易实现小型化。
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公开(公告)号：CN111628255A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010496272.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，信号层上设置有SIR谐振器、非对称阶跃短截线和馈电线路，所述信号层与所述第一金属层耦合连接，所述第一金属层为缺陷结构金属层，所述第二金属层为接地金属层，所述第一金属层与所述第二金属层组成封装缺陷地结构PDGS。第一金属层和第二金属层构成PDGS结构，该结构相对于传统的DGS结构增加了一层额外的地层，可以将电磁场限制在一个准腔体中，故而可以减小辐射损耗，从而降低滤波器的插入损耗。相对于传统的DGS结构而言，增加的额外一层地层使得传输线的分布电容增大，从而同样尺寸的情况下谐振频率左移，更容易实现小型化。
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