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公开(公告)号：CN116105626A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310261994.1
申请日：2023-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多机器人协同三维测量作业方法，首先在计算机上搭建虚拟仿真环境，在虚拟仿真环境上完成双机器人的测量位姿以及测量路径的设置并对测量路径进行路径评价，然后在现实测量环境中完成手眼标定，并将通过路径评价的测量路径发送给对应的实体机器人1、2，获取多视角的点云图像，通过坐标系转换得到相应的被测物点云，最后将实体机器人2的点云转换到实体机器人1基座坐标系下，得到被测物通过双机器人获取的点云IB。本发明通过虚拟仿真平台进行双机器人路径规划有效降低了多视角测量的试错风险，减轻了后续配准任务的负担，提高了结构光测量仪的工作效率，缩短了任务周期，同时，使用双机器人使得测量范围更大，相对于单机器人能够完成更大物件的测量任务。
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公开(公告)号：CN110333076B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910530342.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01M13/045 , G06K9/62 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于CNN‑Stacking的无人机轴承故障诊断方法，先采集轴承信号，再对轴承信号预处理，提取出时域信号和时频域信号；然后分别基于时域信号和时频域信号通过集成学习算法构建时域弱分类模和时频域弱分类模，最后通过时域弱分类模和时频域弱分类模级联融合后预测出待检测无人机轴承信号的隶属概率值，从而实现无人机轴承故障诊断。
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公开(公告)号：CN110333076A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910530342.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01M13/045 , G06K9/62 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于CNN-Stacking的无人机轴承故障诊断方法，先采集轴承信号，再对轴承信号预处理，提取出时域信号和时频域信号；然后分别基于时域信号和时频域信号通过集成学习算法构建时域弱分类模和时频域弱分类模，最后通过时域弱分类模和时频域弱分类模级联融合后预测出待检测无人机轴承信号的隶属概率值，从而实现无人机轴承故障诊断。
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公开(公告)号：CN111627007B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010461356.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自优化匹配网络图像拼接的航天器缺陷检测方法，首先基于温度变化特征分离出突显缺陷特征的温度变化特征重构图像，然后采用FAST算法进行特征点检测，利用SURF算法进行检测到的特征点进行描述，克服传统的SURF检测法提取特征点少，计算量大的问题，同时保证了匹配过程的抗噪能力和对仿射变换、温差的鲁棒性；通过双向的暴力匹配进行特征点对(匹配点对)粗匹配、通过构建偏差向量和自优化匹配网络剔除误匹配，保证匹配结果的速度和精度，实现适应性和鲁棒性更强的优化匹配结果。同时进一步提纯匹配点对对并计算出几何变换矩阵，使各检测区域的温度变化特征重构图像有效融合，实现对航天器表面大范围的快速检测。
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公开(公告)号：CN112132802A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010994424.X
申请日：2020-09-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自学习拼接算法的航天器撞击损伤检测方法，首先基于温度变化特征分离出突显缺陷特征的损伤温度重构图像；然后采用SIFT特征点检测算法实现特征点的快速检测同时生成损伤温度特征向量，再利用PCA算法对损伤温度特征向量进行降维，提高算法速度；基于损伤温度特征向量的余弦值作为相似性度量，实现特征点的粗匹配；最后搭建自优化匹配优化网络，获得优化后的精确匹配点对集合，并估计出几何变换矩阵的参数，实现图像拼接。本发明实现对缺陷模式特征的自学习过程，实现对数据特征的进一步压缩提取，从而实现适应性和鲁棒性更强的优化匹配结果，使各检测区域的损伤温度重构图像有效融合，实现对航天器表面大范围的快速损伤检测和损伤程度的初步判断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118173616A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410194047.X
申请日：2024-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/205 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种具有双沟道双肖特基的金属混合阳极二极管及制备方法，二极管包括层叠设置的衬底层、缓冲层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层和钝化层，第一阳极的下端设置在位于第一沟道层的第一端的第一阳极凹槽内，第二阳极的下端设置在位于第一势垒层的第一端的第二阳极凹槽内，第三阳极设置于第二阳极上，阴极的下端设置在位于第一沟道层的第二端的阴极凹槽内。本发明的金属混合阳极二极管拥有较低的开启电压，并且导通时可以提供较大的正向电流，较低的导通电阻，同时可以有效降低二极管的正向导通电阻，提高正向导通电流密度。
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公开(公告)号：CN112557400B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011373483.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/88 , G01N21/958 , G01N21/01 , G06T7/13
Abstract: 本发明公开了一种卫星望远镜镜片表面疵病轮廓检测系统及方法。通过第一滑动组件以及垂直校准仪确定直射光源位置，调节标尺滑轨的高度，使被测卫星望远镜镜片能完整被照射，便携式手持相机呈一定角度拍摄被测卫星望远镜镜片，通过数据线将拍摄的图像(光学疵病图像)传输给计算机，将轮廓提取出来，没有尺寸约束，且系统组装简单，便于携带，大大地节约了设备成本。对传统的聚类函数添加权重项来对该函数进行优化，再进行了像素点分类处理；采用边缘检测算法提取出大致疵病轮廓即边缘轮廓优化，再用离散切比雪夫多项式拟合亚像素点来对轮廓进一步的细化，提高拟合精度，这样提高了疵病检测的精度，以便后续对卫星望远镜镜片的疵病进行量化分析。
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公开(公告)号：CN112557400A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011373483.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/88 , G01N21/958 , G01N21/01 , G06T7/13
Abstract: 本发明公开了一种卫星望远镜镜片表面疵病轮廓检测系统及方法。通过第一滑动组件以及垂直校准仪确定直射光源位置，调节标尺滑轨的高度，使被测卫星望远镜镜片能完整被照射，便携式手持相机呈一定角度拍摄被测卫星望远镜镜片，通过数据线将拍摄的图像(光学疵病图像)传输给计算机，将轮廓提取出来，没有尺寸约束，且系统组装简单，便于携带，大大地节约了设备成本。对传统的聚类函数添加权重项来对该函数进行优化，再进行了像素点分类处理；采用边缘检测算法提取出大致疵病轮廓即边缘轮廓优化，再用离散切比雪夫多项式拟合亚像素点来对轮廓进一步的细化，提高拟合精度，这样提高了疵病检测的精度，以便后续对卫星望远镜镜片的疵病进行量化分析。
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公开(公告)号：CN118263308A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410221331.1
申请日：2024-02-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/49
Abstract: 本发明涉及一种具有凹槽型p‑GaN和MIS结构的混合栅极HEMT及其制备方法，包括：衬底、异质结结构、源极、漏极、凹槽型p‑GaN帽层、绝缘介质层和栅极，其中，异质结结构设置在衬底上；异质结结构包括至少一层异质结层，且多个异质结层层叠设置；源极位于异质结结构表面的一端，漏极位于异质结结构表面的另一端；凹槽型p‑GaN帽层位于源极和漏极之间的异质结结构上；凹槽型p‑GaN帽层中设置有至少一个凹槽；绝缘介质层覆盖凹槽型p‑GaN帽层的表面和异质结结构的表面，且在槽顶区域形成开孔区域；栅极覆盖在凹槽型p‑GaN帽层上的绝缘介质层表面，且位于开孔区域的凹槽型p‑GaN帽层上，栅极与凹槽型p‑GaN帽层形成肖特基接触。本发明实现了低栅极漏电和高输出特性的增强型p‑GaN HEMT器件。
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公开(公告)号：CN118198122A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410163795.1
申请日：2024-02-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供了一种具有阶梯型帽层和MIS结构的p‑GaN HEMT器件及其制备方法，包括在器件的AlGaN势垒层上生成掺杂Mg浓度渐变的渐变p‑GaN层，再刻蚀形成阶梯型p‑GaN帽层，该阶梯型p‑GaN帽层内部Mg浓度沿源端向漏端递增，使得越薄的区域掺杂浓度越高，避免p‑GaN厚度减小对阈值电压的影响，有助于提高栅击穿电压。本发明还在栅金属与p‑GaN帽层之间引入与阶梯型p‑GaN帽层互补的变介电常数的介质层，较薄的区域采用介电常数更高的介质，调控栅极下方耗尽层，削弱电场拐角效应，提高关态击穿电压，同时利用介质层的绝缘特性抑制栅极电流的泄漏路径，减小了栅极的正向泄漏电流，从而增大栅极击穿电压。
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