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公开(公告)号：CN108598562B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201810260559.6
申请日：2018-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及锂电池技术领域，一种固态电解质薄膜的热处理方法及锂电芯结构。固态电解质薄膜的热处理方法，包括：提供具有一定厚度的待处理固态电解质薄膜，待处理固态电解质薄膜形成在电极结构上，待处理固态电解质薄膜包括固态电解质分子；选定特定波长以及脉冲参数的脉冲光源对所述待处理固态电解质薄膜进行热处理，特定波长的脉冲光源的光子能量大于或等于固态电解质分子的能级跃迁前后的能量差；冷却热处理后的固态电解质薄膜。采用特定的脉冲光源对待处理固态电解质薄膜进行热处理，从而改变待处理固态电解质薄膜的晶相结构，从而改变固态电解质薄膜的体相和晶界阻抗，提高导电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111370689A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010183281.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 一种钌、铝共掺杂钴酸锂正极材料，属于锂离子电池电极材料的制备技术领域。该钌、铝共掺杂钴酸锂正极材料的化学式为LiCo1-x-yRuxAlyO2，其中，0.0005≤x≤0.015，0.0005≤y≤0.015。本发明钴酸锂正极材料在铝和钌的共同掺杂作用下，其放电比容量显著提升，且在4.5V和4.6V下的循环稳定性也得到了改善。
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公开(公告)号：CN111370689B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010183281.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 一种钌、铝共掺杂钴酸锂正极材料，属于锂离子电池电极材料的制备技术领域。该钌、铝共掺杂钴酸锂正极材料的化学式为LiCo1‑x‑yRuxAlyO2，其中，0.0005≤x≤0.015，0.0005≤y≤0.015。本发明钴酸锂正极材料在铝和钌的共同掺杂作用下，其放电比容量显著提升，且在4.5V和4.6V下的循环稳定性也得到了改善。
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公开(公告)号：CN100346619C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410040112.6
申请日：2004-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种无队头阻塞的光突发/分组交换结构，在入端口用波分复用器分离不同波长的突发数据；然后根据调度需要用波长变换器将其变换到任意的波长；再经过1×P的光开关选择到P组FDL的任意一个上去；最后从所选择的FDL送到相应的出端口。实现了入端任意端口任意波长的突发数据可以经过一个可控时延交换到任意出端口的任意波长的目的。本发明具有实现无队头阻塞光交换、数据丢失率低、结构简单，高性能和低成本等特点。
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公开(公告)号：CN1716903A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200410040112.6
申请日：2004-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种无队头阻塞的光突发/分组交换结构，在入端口用波分复用器分离不同波长的突发数据；然后根据调度需要用波长变换器将其变换到任意的波长；再经过1×P的光开关选择到P组FDL的任意一个上去；最后从所选择的FDL送到相应的出端口。实现了入端任意端口任意波长的突发数据可以经过一个可控时延交换到任意出端口的任意波长的目的。本发明具有实现无队头阻塞光交换、数据丢失率低、结构简单，高性能和低成本等特点。
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公开(公告)号：CN108598562A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810260559.6
申请日：2018-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058
CPC classification number: H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M2300/0071
Abstract: 本发明涉及锂电池技术领域，一种固态电解质薄膜的热处理方法及锂电芯结构。固态电解质薄膜的热处理方法，包括：提供具有一定厚度的待处理固态电解质薄膜，待处理固态电解质薄膜形成在电极结构上，待处理固态电解质薄膜包括固态电解质分子；选定特定波长以及脉冲参数的脉冲光源对所述待处理固态电解质薄膜进行热处理，特定波长的脉冲光源的光子能量大于或等于固态电解质分子的能级跃迁前后的能量差；冷却热处理后的固态电解质薄膜。采用特定的脉冲光源对待处理固态电解质薄膜进行热处理，从而改变待处理固态电解质薄膜的晶相结构，从而改变固态电解质薄膜的体相和晶界阻抗，提高导电性能。
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