公开(公告)号：CN106098751B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610551789.9

申请日：2016-07-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  张玉蒙 ,  底聪 ,  廖航 ,  李沂蒙 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种功率半导体器件终端结构。本发明的核心思想是将平面延伸的结终端扩展(JTE)型终端结构向体内折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积。缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面结的击穿电压。采用该结构能够在相同耐压的情况下获得比常规结构更小的面积。

公开(公告)号：CN105932050B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201610414414.8

申请日：2016-06-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  张玉蒙 ,  田丰境 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739

Abstract: 一种平面栅IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上，在器件JFET区表面的部分区域引入浮空p型区，所述浮空p型区与栅电极在垂直于MOS沟道长度方向形成间隔分布，器件正向导通时在JFET区通过垂直于MOS沟道长度方向上从栅极往浮空p型区方向的横向载流子扩散，本发明结构在不影响器件正向导通特性的条件下，减小了器件的栅极电容，特别是栅极‑集电极电容，提高了器件的开关速度，降低了器件的开关损耗，同时不会使器件的阻断特性劣化。

公开(公告)号：CN108292677B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201680057871.4

申请日：2016-09-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  张玉蒙 ,  底聪 ,  熊景枝 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种具有体内场板的折叠型终端，将场板结构和结终端扩展区向器件内部折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积，缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面结的击穿电压。采用该结构能够在相同耐压的情况下获得比常规结构更小的面积。

公开(公告)号：CN106298976B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201610644646.2

申请日：2016-08-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  张玉蒙 ,  谢驰 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种沟槽型肖特基二极管。本发明提出一种沟槽型肖特基二极管，通过在深槽内填充肖特基金属，增大肖特基结的有效面积，提高其电流能力；同时通过器件漂移区内的体电极结构引入横向电场以及适当增大漂移区掺杂浓度，使其在实现较高反向击穿电压的同时具有较低的正向导通压降响。

公开(公告)号：CN108292677A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680057871.4

申请日：2016-09-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  张玉蒙 ,  底聪 ,  熊景枝 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/407 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7823

Abstract: 一种具有体内场板的折叠型终端，将场板结构和结终端扩展区向器件内部折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积，缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面结的击穿电压。采用该结构能够在相同耐压的情况下获得比常规结构更小的面积。

公开(公告)号：CN106298976A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610644646.2

申请日：2016-08-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  张玉蒙 ,  谢驰 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种沟槽型肖特基二极管。本发明提出一种沟槽型肖特基二极管，通过在深槽内填充肖特基金属，增大肖特基结的有效面积，提高其电流能力；同时通过器件漂移区内的体电极结构引入横向电场以及适当增大漂移区掺杂浓度，使其在实现较高反向击穿电压的同时具有较低的正向导通压降响。

公开(公告)号：CN106098751A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610551789.9

申请日：2016-07-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  张玉蒙 ,  底聪 ,  廖航 ,  李沂蒙 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0607

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种功率半导体器件终端结构。本发明的核心思想是将平面延伸的结终端扩展(JTE)型终端结构向体内折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积。缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面结的击穿电压。采用该结构能够在相同耐压的情况下获得比常规结构更小的面积。

公开(公告)号：CN105932050A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610414414.8

申请日：2016-06-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  张玉蒙 ,  田丰境 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66333

Abstract: 一种平面栅IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上，在器件JFET区表面的部分区域引入浮空p型区，所述浮空p型区与栅电极在垂直于MOS沟道长度方向形成间隔分布，器件正向导通时在JFET区通过垂直于MOS沟道长度方向上从栅极往浮空p型区方向的横向载流子扩散，本发明结构在不影响器件正向导通特性的条件下，减小了器件的栅极电容，特别是栅极‑集电极电容，提高了器件的开关速度，降低了器件的开关损耗，同时不会使器件的阻断特性劣化。