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公开(公告)号：CN105384430A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510896969.6
申请日：2015-12-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622 , C03C12/00
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷材料由主晶相材料与掺杂相材料经球磨混合、干压成型、烧结制成，包括主晶相MgSiO3和掺杂相硼硅酸盐玻璃、Al2O3、ZnO、La2O3；各组分的质量百分比含量为MgSiO385～97％，硼硅酸盐玻璃1～8％，Al2O31～3％，ZnO0.5～2％，La2O30.5～2％；与现有技术的同类陶瓷材料相比，本发明具有优良的性能：成瓷密度ρ>2.7g/cm3，较低的介电常数(εr 150MPa)；本发明工艺简单、价格低廉、生产重复性能好，使MgSiO3陶瓷基板材料低成本批量化稳定生产成为可能。
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公开(公告)号：CN104108929B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410226448.5
申请日：2014-05-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锌钡体系微波介质陶瓷材料及制备方法，涉及电子材料技术。其原料组分为质量百分比89.95％～96.85％的BaO-nZnO-4TiO2和质量百分比3.15％～10.05％的降烧剂，其中0.3≤n≤0.6，通过传统固相反应制得本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度≤900℃，介电常数20-30，Qxf(GHz):10000～15000，谐振频率温度系数-10～+10ppm/℃。可用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号：CN103408299B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310300297.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锌钡体系微波介质陶瓷材料及制备方法，涉及电子材料技术。其化学组成为：（1-x）BaTi4O9-xBaZn2Ti4O11-yM，0.15≤x≤0.25（摩尔比），M为降烧剂，0.0531≤y≤0.1005（重量比）。所述降烧剂组分及重量百分比为：Li2CO3：44.25%～53.47%、SiO2：4.82%～9.19%、B2O3:33.24%～37.71%、ZnO：0.88%～0.94%、Al2O3：3.75%～9.83%、添加物MnCO3和CuO:0.3%～1%、两者重量比为3:4～3:6。同时提出了制备该材料的具体方法。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度低（≤900℃），介电性能优异：介电常数20-30可调，品质因数高，谐振频率温度系数小。可用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103113105B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310018624.1
申请日：2013-01-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法，涉及电子材料技术。本发明以原料计算，组分为：氧化钡：15%～18%；三氧化二钕：10%～36%；三氧化二钐：0%～26%；二氧化钛：30%～35%；氧化锌：0%～2%；三氧化二铝：0%～3%；氧化钙:0%～3%；碳酸锂：0%～5%；二氧化硅：0%～5%；三氧化二硼：0%～4%；微量添加物：0%～5%；以上为重量百分比。本发明性能上有较大提升，传统配方在降低烧结温度的同时，介电常数降低（53～65），Qf减小。
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公开(公告)号：CN103420670A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310346515.2
申请日：2013-08-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法，属于材料技术领域。包括BaO-ZnO-TiO2主料、第一添加剂BaCu(B2O5)、第二添加剂复合氧化物和第三添加剂MnO2。首先以BaCO3、ZnO和TiO2为原料合成BaO-ZnO-TiO2主料，然后以BaCO3、CuO和B2O3为原料合成第一添加剂，再以BaCO3、ZnO、TiO2、SiO2和B2O3为原料合成第二添加剂，再将第一、二、三添加剂添加到主料中，经球磨、干燥、过筛、造粒、成型和排胶处理后在空气中于850～940℃下烧成。本发明提供的低温烧结微波陶瓷材料，经检测具有高的Q值，近零且系列化的频率温度系数，适中的介电常数和良好的工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN103113105A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310018624.1
申请日：2013-01-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法，涉及电子材料技术。本发明以原料计算，组分为：氧化钡：15%～18%；三氧化二钕：10%～36%；三氧化二钐：0%～26%；二氧化钛：30%～35%；氧化锌：0%～2%；三氧化二铝：0%～3%；氧化钙:0%～3%；碳酸锂：0%～5%；二氧化硅：0%～5%；三氧化二硼：0%～4%；微量添加物：0%～5%；以上为重量百分比。本发明性能上有较大提升，传统配方在降低烧结温度的同时，介电常数降低（53～65），Qf减小。
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公开(公告)号：CN102173586A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110051399.2
申请日：2011-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: C03C10/04
Abstract: 微晶玻璃陶瓷材料及制备方法以及高温熔融玻璃制备方法，属于陶瓷材料领域。本发明的微晶玻璃陶瓷材料配方为：(100-x-y)G1+xG2+yG3，其中：x＝1～15，y＝3～15，上式以质量比计；G1为高温熔融玻璃，组分包括：CaO：35～50mol％，B2O3：10～30mol％，SiO2：15～50mol％，ZrO2：0～2mol％，TiO2：0～2mol％；G2为高硼玻璃，组分包括：CaO：10～30mol％，B2O3：30～60mol％，SiO2：0～30mol％，ZnO：0～2mol％，P2O5：0～2mol％；G3为高硅玻璃，组分包括：CaO：10～30mol％，B2O3：0～30mol％，SiO2：30～60mol％，ZnO：0～2mol％，P2O5：0～2mol％。本发明所制备的微晶玻璃陶瓷具有低介电常数(ε＝5.4～6.4，1MHz)和高抗弯强度(＞150MPa)。
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公开(公告)号：CN102167514A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110022675.2
申请日：2011-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 基板用微晶玻璃陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷材料领域。本发明由高温熔融钙硼硅玻璃和改性添加剂组成，所述改性添加剂包括B2O3、La2O3、SiO2和ZnO，以质量百分比计，材料的配方为：[100-(a+b+c+d)]G+a B2O3+b La2O3+c SiO2++d ZnO，其中：0.1≤a≤3.5，0.1≤b≤5，0≤c≤10，，0≤d≤1.5；G表示高温熔融钙硼硅玻璃。高温熔融钙硼硅玻璃的组分包括：CaO：35～50mol％，B2O3：10～30mol％，SiO2：15～50mol％，ZrO2：0～2mol％，TiO2：0～2mol％。本发明能很好的提高陶瓷材料的抗弯强度(＞170MPa)，并保持陶瓷材料的优良的介电性能。
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