公开(公告)号：CN116794012A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310737673.4

申请日：2023-06-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘洪伟 ,  王琦 ,  郭小伟

IPC: G01N21/65 ,  B22F1/054 ,  B22F1/145 ,  B22F1/102 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了设计一种基于DNA折纸技术的表面增强拉曼基底及其制备方法，其包括以下步骤：设计DNA折纸框架图案，设计含有连接金纳米粒子的位置和序列(修饰链)，将图案包含的长链、短链(含修饰链)按一定比例混合退火,形成有序排列的DNA折纸结构。不同长度的修饰短链有序分布在折纸结构底部和侧面，起到连接金纳米粒子作用。对金纳米粒子表面硫醇化,使其形成与寡核苷酸连接位点。对硅片表面进行处理用APTES制备带正电的单分子薄膜层，使其能够吸附带负电的DNA折纸框架。接着将硫醇化后的金纳米粒子与DNA折纸结构混合后沉积在硅片表面，形成金纳米粒子和折纸结构的耦合结构。用VUV灯照射表面，分解和去除DNA和APTES，暴露出金纳米粒子的热点结构。优点：控制修饰链的长度，实现纳米粒子的间距调节，最小可达2纳米。添加或去除修饰链实现任意形状热点阵列创建。