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公开(公告)号：CN119644616A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411886792.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、氧化层、光波导、过渡层和金属电极；所述衬底位于最下方，所述氧化层位于所述衬底的顶部，所述光波导、过渡层和金属电极均设置在所述氧化层的上方，光波导为X型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，金属电极为双层电极结构，包括一层的行波电极与二层的T型结构电极，可有效降低损耗，提高调制效率。为了减少光吸收损耗，使用0.2um的二氧化硅过渡层分隔金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，下沉式双层电极铌酸锂电光调制器在0.14dB/cm的光吸收损耗下实现了1.52V·cm的半波电压长度积，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN117615579A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311429465.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H10B53/30
Abstract: 本发明涉及微电子存储器技术领域，具体涉及一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法，包括使用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对SrTiO3衬底超声清洗后吹干；将吹干后的SrTiO3衬底放入预设温度的脉冲激光沉积系统腔室，并通入氧气，使用La0.65Sr0.35MnO3缓冲层制备得到薄膜；对所述薄膜进行原位退火后降温取出；遮住部分所述薄膜，再次送入脉冲激光沉积系统腔室，使用1.1％wt Nb：SrTiO3制备得到底电极层；对所述底电极层通入氧气使用BaTiO3制备得到BaTiO3铁电功能氧化物层；对所述BaTiO3铁电功能氧化物层进行原位退火后降温取出；将取出的BaTiO3铁电功能氧化物层使用lift‑off工艺以及射频磁控溅射生长Pt上电极层，得到无铅BaTiO3铁电存储器，解决了现有的闪存的浮栅电容数据的读取具有破坏性的问题。
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公开(公告)号：CN116736421A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310772946.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多波段可调谐偏振无关吸波器。该吸波器由两个平行于x轴的黑磷纳米带、二氧化硅介质层、两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层组成。当只有两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层时，所提出的结构可以实现偏振相关的各向异性吸收。通过改变右侧黑磷纳米带的宽度，可以实现可调谐的三波段吸收，并且证明改变黑磷纳米带的电子掺杂浓度，可以实现吸收光谱的调节。此外，在完整的结构下可以实现偏振无关的吸收。该发明提供了一种在多波段可调谐偏振无关吸波器件中具有极大应用潜力的结构。
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公开(公告)号：CN116590660A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310524470.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
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公开(公告)号：CN116454642A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310620401.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种可调谐窄带太赫兹吸收器，该吸收器自下而上分别是完美电导体(PEC)衬底，周期性的电介质纳米阵列单元结构，以及覆盖在电介质结构上的二维黑磷薄膜。其中，电介质纳米阵列单元结构由嵌入了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,n＝1.5)圆柱体的方形硅块(n＝3.42)组成，嵌入的圆柱体与硅块具有相同的高度h。黑磷的电子掺杂浓度为3×1013cm‑2，利用黑磷薄膜与具有折射率差的介质表面发生的等离子体激元共振效应，可以在太赫兹波段内产生共振从而达到完美吸收的效果。本发明可以通过改变电介质圆柱的直径D，电介质层高度h，以及黑磷电子的掺杂浓度，可以在TM、TE偏振下达到高吸收率，并且在66～75μm波段范围内，实现共振吸收峰的动态调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116299827A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310249284.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于金棒和金孔阵列复合结构的中红外偏振转换器，由二氧化硅衬底和上层金棒—蜂窝状金孔阵列复合的超表面结构组成的。本发明可以实现线偏振—圆偏振光和圆偏振—圆偏振光的转换，具有较高的偏振转换率(PCR)，这为高性能偏振操纵器件的设计提供了可靠的结果；此外还发现了一些关于金棒旋转角度(θ)与手性之间的规律，为手性传感的设计也提供而一些方法。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后微纳偏振操纵器件的设计中。
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公开(公告)号：CN112130238B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202011057874.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关，解决的是法诺共振频率不可控和通过几何参数调节法诺共振时出现的可调自由度小的技术问题，从而使得光开关能够在不改变结构几何参数的情况下实现共振峰的连续动态可调，实现多阈值光开关，通过采用包括厚度小于工作波长的超表面，超表面为规则的几何形状，超表面内平行等间距分布有至少3个等离子体柱；等离子体柱的材质为包层石英管和填充的惰性气体；利用米氏散射理论获得单个等离子体柱的米氏散射系数以确定米式共振频率，再阵列等离子体柱获得布拉格散射，使米氏散射与布拉格散射相干涉产生法诺共振现象的技术方案，较好的解决了该问题，可用于光开关领域中。
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公开(公告)号：CN113640251A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110752420.5
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种D型双芯光子晶体光纤双参量等离子体传感器。所述光纤SPR传感器包括具有开口环形通道和曲面侧壁的D型光子晶体光纤；包括纤芯、空气孔、金属膜、TiO2层、温敏介质、液体分析物及完美匹配层。本发明由光子晶体光纤的纤芯和大小一致的空气孔排列而成，基底材料为石英，纤芯的中间的一个空气孔填有温敏介质PDMS，并在其外圈涂有金属薄膜；在开口环形的平面上有金属薄膜与TiO2层。温敏介质的折射率随着温度改变而变化，同时纳米金层表面自由电子共振产生吸收峰，其共振波长会发生偏移，通过观测共振波长的偏移过程实现对温度的传感测量，采用的是表面等离子共振原理。该传感器灵敏度高，检测范围宽，抗腐蚀能力强。
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公开(公告)号：CN112098366A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010733371.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种实现三个Fano共振的内嵌双U型折射率传感器，该传感器由一个大的倒U型谐振腔内嵌一个小的倒U型谐振腔和金属平板组成的金属‑电介质‑金属(MIM)波导结构。当光波在波导中传输时耦合到两个大小不同的倒U型谐振腔，满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。Fano共振对结构参数的变化异常敏感，因此通过调节U型谐振器的r1，r3，h1，h2和填充介质的折射率来控制Fano共振峰的线形和谐振波长。本发明在红外波段可以获得较高的灵敏度和品质因数(FOM)，分别为2275nm/RIU，25540。该发明在光学集成电路、光电子器件，特别是微纳生物化学传感器等领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110113021A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910316927.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波传感器的设计领域，具体为一种高温稳定性电极及其制备方法。该高温稳定性电极从下至上依次包括：氧化铝阻挡层、氧化锌缓冲层、Pt电极、ITO保护层和氧化铝保护层；ITO保护层设置于Pt电极上，与Pt电极一起被氧化铝保护层包覆。本发明利用了ITO能在高温下能抑制Pt电极的结块现象的发生；同时，ITO在高温下具有较好的导电性，当Pt在高温下结块时，不连续的空洞会被ITO填充，有效的降低了电极的电阻率，提高了电极在高温状态下的稳定性。
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