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发明公开
一种高压BCD器件的制备方法无效

公开(公告)号：CN101393890A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810046419.5

申请日：2008-10-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 , 王宇 , 张波 , 李肇基 , 任良彦 , 吴海舟

IPC: H01L21/822

Abstract: 一种高压BCD器件的制备方法，属于半导体制造技术领域。包括以下步骤：生长外延；制备Nwell；制备Pwell；制备Deep－N+；高温推结；制备Pbase；制备Pbody；制备Pwell2制备Pchstop；制备Nchstop；高温推结；制备场氧；制备栅及场板；制备PSD；制备NSD；制备欧姆孔；制备薄膜电阻；形成金属层；制备钝化层；制备PAD。通过本发明可在同一芯片上制作高压DMOS、高压采样、低压BJT、低压CMOS、N型和P型两种电容、阱电阻以及精确薄膜电阻等器件。可制作更高耐压的DMOS器件和采样器件，可制作性能较好的双极器件，可提供包括精确修调电阻在内的两种电阻以及两种类型的电容，电路设计者可以根据需要进行灵活选择。本发明还具有普适性和不同IC生产线可移植性好，高低压器件兼容性好，成本相对较低等优点。

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