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公开(公告)号：CN110945974A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048695.7
申请日：2018-07-25
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高接合性及优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其在陶瓷基板上隔着钎料层设置电路图案，利用由电路图案的外周溢出的钎料层形成有溢出部，钎料层含有Ag、Cu及Ti；和Sn或In，从溢出部外周起沿着陶瓷基板与电路图案的接合界面朝着内侧连续地形成300μm以上的富Ag相，接合空隙率为1.0％以下。
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公开(公告)号：CN116353153A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310371038.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明涉及陶瓷‑铜复合体、陶瓷‑铜复合体的制造方法、陶瓷电路基板及功率模块。平板状陶瓷‑铜复合体，其具备陶瓷层、铜层、和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层。其中，将该陶瓷‑铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时，至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上100μm以下，所述区域P1为区域P中的、从陶瓷层与钎料层的界面起在铜层侧的50μm以内的区域。
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公开(公告)号：CN115299188A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021171.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K3/06 , H01L21/308
Abstract: 具有本发明的规定的电路图案的、带有抗蚀剂固化膜的陶瓷电路基板的制造方法包括下述工序：准备依次层叠有陶瓷基板、包含氮化钛的层、包含银的钎料层、和具有导电性的金属板的金属‑陶瓷接合体的工序；将利用喷墨印刷法在前述金属板上沿前述电路图案涂布抗蚀剂油墨并进行固化而形成单层抗蚀剂固化膜的操作重复多次，从而形成多层抗蚀剂固化膜的工序；在除存在于前述多层抗蚀剂固化膜的下方的部分外使用蚀刻液对前述包含氮化钛的层、前述包含银的钎料层和前述金属板进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN113226610A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980086356.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷‑铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层的平板状陶瓷‑铜复合体，其中，将陶瓷‑铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时，在铜层的切面中，将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(102)％、具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(101)％、具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(111)％、具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(112)％时，满足特定的式(1)。
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公开(公告)号：CN110945974B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201880048695.7
申请日：2018-07-25
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高接合性及优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其在陶瓷基板上隔着钎料层设置电路图案，利用由电路图案的外周溢出的钎料层形成有溢出部，钎料层含有Ag、Cu及Ti；和Sn或In，从溢出部外周起沿着陶瓷基板与电路图案的接合界面朝着内侧连续地形成300μm以上的富Ag相，接合空隙率为1.0％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113226610B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201980086356.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷‑铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层的平板状陶瓷‑铜复合体，其中，将陶瓷‑铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时，在铜层的切面中，将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(102)％、具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(101)％、具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(111)％、具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(112)％时，满足特定的式(1)。
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公开(公告)号：CN110691762A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880036114.8
申请日：2018-05-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 提供一种耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，在陶瓷基板的至少一个主面介由接合钎料接合有金属板，以金属成分计，相对于Ag93.0～99.4质量份、Cu0.1～5.0质量份、Sn0.5～2.0质量份的合计100质量份，上述接合钎料含有0.5～4.0质量份的选自钛、锆、铪、铌中的至少1种活性金属，陶瓷基板与金属板之间的接合钎料层组织中的富Cu相的平均尺寸为3.5μm以下，个数密度为0.015个/μm2以上。一种陶瓷电路基板的制造方法，其包含：在接合温度855～900℃、保持时间10～60分钟的条件下进行接合。
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公开(公告)号：CN110537256A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880026676.4
申请日：2018-04-24
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。
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公开(公告)号：CN110537256B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201880026676.4
申请日：2018-04-24
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/48
Abstract: 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。
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公开(公告)号：CN114982388A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009751.8
申请日：2021-01-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的陶瓷‑铜复合体(100)为具备陶瓷层(1)、铜层(2)、和钎料层(3)的平板状的陶瓷‑铜复合体(100)，所述钎料层(3)存在于陶瓷层(1)与铜层(2)之间且包含Sn或In、和Ag，在钎料层(3)的铜层(2)侧形成有凹凸部，在至少一个凸部(6)内，多个富Cu相(4)以彼此隔开间隔的状态存在。
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