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公开(公告)号：CN110100305A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201780079188.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明涉及形成于半导体衬底的背面侧的具有以Ti层/Ni层/Ag合金层的顺序层叠有各金属层的多层结构的背面电极的电极结构。一种背面电极的电极结构，其中，上述Ag合金层由Ag与选自Sn、Sb、Pd中的任意一种添加金属M的合金构成，在利用X射线光电子能谱分析装置对上述背面电极从上述Ag合金层至上述Ni层在深度方向上进行元素分析时，呈现出在Ni层与Ag合金层的边界处能够观察到能够检测出来自Ni、Ag、添加元素M的所有金属的谱图的中间区域的状态，进而，基于来自Ni、Ag、添加元素M的所有金属的谱图来换算上述中间区域中的各金属的含量时，添加元素M的含量的最大值为5原子％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109196137B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780032766.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高Au膜的膜厚分布的均匀性的金溅射靶。本发明的金溅射靶由金以及不可避免的杂质构成且具有被溅射的表面。对于这样的金溅射靶而言，维氏硬度的平均值为40以上且60以下，平均结晶粒径为15μm以上且200μm以下。在被溅射的表面，金的{110}面优先取向。
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公开(公告)号：CN111448335A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880078486.7
申请日：2018-12-04
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高高纯度的Au膜的膜厚分布的均匀性的金溅射靶。本发明的金溅射靶具有99.999％以上的金纯度。这样的金溅射靶中，维氏硬度的平均值为20以上且小于40，平均结晶粒径为15μm以上且200μm以下。在被溅射的表面，金的{110}面优先取向。
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公开(公告)号：CN111433387A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078451.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高Au膜的膜厚分布的均匀性的金溅射靶的制造方法。本发明的金溅射靶的制造方法具备制造金溅射靶的工序，所述金溅射靶由金和不可避免的杂质构成，维氏硬度的平均值为40以上且60以下，平均结晶粒径为15μm以上且200μm以下，在被溅射的表面，金的{110}面优先取向。
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公开(公告)号：CN109196137A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032766.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高Au膜的膜厚分布的均匀性的金溅射靶。本发明的金溅射靶由金以及不可避免的杂质构成且具有被溅射的表面。对于这样的金溅射靶而言，维氏硬度的平均值为40以上且60以下，平均结晶粒径为15μm以上且200μm以下。在被溅射的表面，金的{110}面优先取向。
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公开(公告)号：CN111448335B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201880078486.7
申请日：2018-12-04
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高高纯度的Au膜的膜厚分布的均匀性的金溅射靶。本发明的金溅射靶具有99.999％以上的金纯度。这样的金溅射靶中，维氏硬度的平均值为20以上且小于40，平均结晶粒径为15μm以上且200μm以下。在被溅射的表面，金的{110}面优先取向。
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