公开(公告)号：CN116686101A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180088392.X

申请日：2021-12-27

Applicant: 田中贵金属工业株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 佐藤弘规 ,  大岛优辅 ,  仲泽达也 ,  金亨俊 ,  金东昡

IPC: H01L31/08

Abstract: 本发明涉及由基材和形成在所述基材上的由半导体膜构成的光接收层构成的光电转换元件材料。形成该光接收层的半导体膜由Ag2‑xBixSx+1(x为0或1的整数)构成、微晶直径为10nm以上40nm以下。光接收层可以通过以下方式制造：将使所述半导体纳米粒子分散在分散介质中而成的油墨涂布在基材上后在200℃以上350℃以下进行烧制。本发明涉及的光电转换元件材料对于近红外区域的波长的光具有吸收性、光应答性优异。

公开(公告)号：CN106132589A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016317.7

申请日：2015-03-23

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 吉川彰 ,  横田有为 ,  中村宗树 ,  田中邦弘 ,  仲泽达也 ,  坂入弘一

IPC: B22D11/00 ,  C22C1/02 ,  C22C5/04 ,  C30B15/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/52

CPC classification number: B22D11/005 ,  B22D11/00 ,  B22D11/001 ,  B22D11/11 ,  B22D21/005 ,  C22C1/02 ,  C22C5/04 ,  C22F1/18 ,  C30B15/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/52

Abstract: 本发明为一种金属线材，其为包含铱或含铱合金的金属线材，其中，长度方向的任意断面的晶粒数在每0.25mm2中为2～20个，并且任意部分的维氏硬度为200Hv以上且低于400Hv。该铱线材为如下材料：通过μ‑PD法制造且处于残留应力少的状态，即使被加热到再结晶温度(1200℃～1500℃)以上，晶粒数、硬度的变化少。本发明的金属线材的高温气氛下的耐氧化消耗性、机械特性优良。

公开(公告)号：CN117355948A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280036354.4

申请日：2022-03-10

Applicant: 田中贵金属工业株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 仲泽达也 ,  金亨俊 ,  金东昡

IPC: H01L31/0264

Abstract: 本发明涉及由作为铂族金属的Ir和Ru的硫族化物构成的薄膜。该薄膜形成在预定的基材上且含有铂族金属硫族化物，所述铂族金属硫族化物由Ir2S3或IrS2、RuS2或RuSe2中的任一者构成。薄膜的膜厚为0.5nm以上500nm以下。在本发明中，在含有Ir2S3、IrS2、RuS2、RuSe2的薄膜中，通过实验方法和采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算的模拟从而明确了通过照射近红外光而能够表现出光电效应。本发明是具有对于特别是近红外线区域的波长的光的灵敏度的特征、由迄今为止不为人所知的构成的铂族金属硫族化物构成的薄膜。

公开(公告)号：CN106132589B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201580016317.7

申请日：2015-03-23

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 吉川彰 ,  横田有为 ,  中村宗树 ,  田中邦弘 ,  仲泽达也 ,  坂入弘一

IPC: B22D11/00 ,  C22C1/02 ,  C22C5/04 ,  C30B15/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/52

CPC classification number: B22D11/005 ,  B22D11/00 ,  B22D11/001 ,  B22D11/11 ,  B22D21/005 ,  C22C1/02 ,  C22C5/04 ,  C22F1/18 ,  C30B15/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/52

Abstract: 本发明为一种金属线材，其为包含铱或含铱合金的金属线材，其中，长度方向的任意断面的晶粒数在每0.25mm2中为2～20个，并且任意部分的维氏硬度为200Hv以上且低于400Hv。该铱线材为如下材料：通过μ‑PD法制造且处于残留应力少的状态，即使被加热到再结晶温度(1200℃～1500℃)以上，晶粒数、硬度的变化少。本发明的金属线材的高温气氛下的耐氧化消耗性、机械特性优良。

公开(公告)号：CN106164307B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201580016770.8

申请日：2015-03-23

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 石田清仁 ,  大森俊洋 ,  佐藤裕 ,  田中邦弘 ,  中村宗树 ,  坂入弘一 ,  仲泽达也

IPC: C22C19/05 ,  C22C5/04 ,  C22C30/00 ,  C22F1/10 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/10 ,  C22C19/03 ,  C22C19/055 ,  C22C19/056 ,  C22C30/00

Abstract: 本发明是一种NiIr基耐热合金，其包含含有Ir：5.0～50.0质量％、Al：1.0～8.0质量％、W：5.0～20.0质量％、余量Ni的Ni‑Ir‑Al‑W系合金，具有L12结构的γ’相作为必需的强化相在基质中析出、分散，其中，X射线衍射分析中，在2θ＝43°～45°的范围内观察到的γ’相的(111)面的峰强度(X)与在2θ＝48°～50°的范围内观察到的Ir3W相的(201)面的峰强度(Y)之比(Y/X)为0.5以下。本发明的合金是能够稳定地发挥良好的高温特性的耐热性Ni基合金。

公开(公告)号：CN106164307A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580016770.8

申请日：2015-03-23

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 石田清仁 ,  大森俊洋 ,  佐藤裕 ,  田中邦弘 ,  中村宗树 ,  坂入弘一 ,  仲泽达也

IPC: C22C19/05 ,  C22C5/04 ,  C22C30/00 ,  C22F1/10 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/10 ,  C22C19/03 ,  C22C19/055 ,  C22C19/056 ,  C22C30/00

Abstract: 本发明是一种NiIr基耐热合金，其包含含有Ir：5.0～50.0质量％、Al：1.0～8.0质量％、W：5.0～20.0质量％、余量Ni的Ni‑Ir‑Al‑W系合金，具有L12结构的γ’相作为必需的强化相在基质中析出、分散，其中，X射线衍射分析中，在2θ＝43°～45°的范围内观察到的γ’相的(111)面的峰强度(X)与在2θ＝48°～50°的范围内观察到的Ir3W相的(201)面的峰强度(Y)之比(Y/X)为0.5以下。本发明的合金是能够稳定地发挥良好的高温特性的耐热性Ni基合金。