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公开(公告)号：CN119402197B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411979228.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供了一种压阻式传感器PUF特征值生成方法和PUF密钥生成方法。所述方法包括：处理器通过控制所述温度调整模块，调整所述压阻式传感器所处的环境温度；经所述温度调整模块，使所述压阻式传感器所处的环境温度为测试温度T1，在测试温度T1下，所述压力模拟结构模拟M1组外界压力组，获得所述压阻式传感器在每组外界压力下的电阻‑压力系数K，得到M1组电阻‑压力系数K，调整所述测试温度，重复步骤B‑步骤C1，直至得到J组测试温度下的多个电阻‑压力系数K，将J组所述测试温度作为激励，将各个测试温度下的多个K值作为响应，生成PUF特征值。这一方法能解决传感器上PUF的有效实现。
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公开(公告)号：CN119509586A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411978776.0
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供了一种压阻式传感器、压阻传感器结构及其制作方法，其能够通过调整两个压力模拟电极之间的电压差，可模拟该压阻传感器结构所受外界压力的大小，并通过调整该压阻传感器结构的驱动电压，从而可用于生成PUF技术所需的激励‑响应对，从而可在该压阻式传感器上实现PUF密钥技术。该压阻传感器结构，包括：第一衬底、设置于该第一衬底下方的第二衬底，该第二衬底的上表面设置有空腔，该空腔上方的该第一衬底区域形成有敏感薄膜；设置于该第一衬底的惠斯通电桥结构；该敏感薄膜朝向该空腔的表面上设置有第一压力模拟电极；该空腔底部的第二衬底表面上设置有第二压力模拟电极。
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公开(公告)号：CN119403138A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411991474.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片，涉及半导体技术领域，旨在降低工艺难度。该半导体结构的制备方法包括：采用溅射工艺，在衬底上形成第一电极；在第一电极远离衬底的一侧形成电介质层；在电介质层远离衬底的一侧形成第二电极；其中，在形成第一电极的过程中，对衬底进行加热，并对衬底施加直流偏置电压或射频偏置功率；衬底的加热温度范围为50℃~400℃，直流偏置电压在‑500V~+150V的范围内变化或射频偏置功率在50w~400w的范围内变化。上述半导体结构可应用于存储器芯片或传感器芯片中，存储器芯片可以为非易失性存储器，传感器芯片可以为微机电系统压力传感器。
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公开(公告)号：CN119382891B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411977756.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供了一种谐振式传感器PUF特征值和PUF密钥生成方法。所述方法包括：通过提供谐振式传感器，打开谐振式传感器的电源，谐振式传感器包括电源、驱动电压调整电路和谐振式传感器模块；驱动电压调整电路用于调整输入谐振式传感器模块的驱动电压；经驱动电压调整电路向谐振式传感器模块输入多组驱动电压；测量得到在每组驱动电压下，谐振式传感器模块的主振振幅和次振振幅；将多组驱动电压作为激励，将各组驱动电压下的主振振幅和次振振幅作为响应，生成PUF特征值。将谐振式传感器中的驱动电压作为激励，将不同压力下的主振振幅和次振振幅作为响应，以此生成传感器的PUF特征值，也不需要增加额外的设计和生产成本，降低了PUF成本。
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公开(公告)号：CN119402196B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411978506.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供了一种电容式传感器PUF特征值生成方法和PUF密钥生成方法，包括：提供电容式传感器，打开所述电容式传感器的电源，所述电容式传感器包括电源模块、处理器、温度调整模块和电容式传感器结构；所述处理器用于通过控制所述温度调整模块，调整所述电容式传感器结构所处的环境温度；经所述温度调整模块，使所述电容式传感器结构所处的环境温度分别为多组测试温度；测量得到在每组测试温度下，所述电容式传感器结构的电容值，得到多组电容值；将多组所述测试温度作为激励，将各组测试温度下的电容值作为响应，生成PUF特征值，不需要增加额外的设计和生产成本，降低了PUF成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119584556A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411998052.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
IPC: H10D1/68 , H10N30/076 , H10N30/30 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片，涉及半导体技术领域，旨在降低工艺难度。该半导体器件的制备方法包括：在基板上形成底电极；采用溅射工艺形成介电层，介电层位于底电极远离基板的一侧；形成顶电极，顶电极位于介电层远离基板的一侧；其中，在形成介电层的过程中，加热基板，加热温度的范围为50℃～400℃；并且，在形成介电层的过程中，向基板施加直流偏置电压，直流偏置电压的变化范围为‑500V～+150V，或，向基板施加射频偏置功率，射频偏置功率的变化范围为50w～400w。上述半导体器件可应用于存储器芯片或传感器芯片中，存储器芯片可以为非易失性存储器，传感器芯片可以为微机电系统压力传感器。
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公开(公告)号：CN119545338A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411944209.3
申请日：2024-12-27
Applicant: 甬江实验室
IPC: H04W12/041 , H04L9/08 , H04W84/18
Abstract: 本申请提供一种对称密钥生成方法、装置、设备、介质及产品，其中，网络设备根据目标密钥生成序列向无线传感器发送第一信号、无线传感器根据目标密钥生成序列向网络设备发送第二信号，使网络设备根据第一信号生成第一对称密钥、无线传感器根据第二信号生成第二对称密钥。由于目标密钥生成序列是随机数序列，具有较强的随机性，因此进一步增强了无线传感器与网络设备之间的信道变化，使无线传感器和网络设备基于信道特征值所产生的对称密钥的随机性更强，进而增强了无线传感器与网络设备之间传输的数据的安全性能，保证了整个无线传感器网络的安全与稳定。
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公开(公告)号：CN119920738A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411998866.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
IPC: H01L21/673 , H01L21/677
Abstract: 本申请提供了一种半导体制造设备、半导体制造方法，涉及半导体技术领域，旨在提高生产效率。该半导体制造设备包括壳体、晶圆盒和多种工艺装置，其中，壳体包括腔室，晶圆盒设置于腔室内，晶圆盒包括多个容片槽，容片槽用于容纳晶圆。工艺装置包括装卸室，多种工艺装置的装卸室均用于容纳壳体。上述半导体制造设备可用于加工小尺寸晶圆，小尺寸晶圆的工艺良品率较高，且有利于实现设备的小型化，降低设备的价格，提高加工工艺的稳定性。
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公开(公告)号：CN119561700B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411978956.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供了一种谐振式传感器PUF特征值生成方法和PUF密钥生成方法。所述方法包括：提供谐振式传感器，打开所述谐振式传感器的电源，所述谐振式传感器包括电源模块、处理器、温度调整模块和谐振式传感器模块，所述处理器用于通过所述温度调整模块，调整所述谐振式传感器模块所处的环境温度；经所述温度调整模块，使所述谐振式传感器模块所处的环境温度分别为多组测试温度；测量得到在每组测试温度下，所述谐振式传感器模块的谐振参数；将多组所述测试温度作为激励，将各组测试温度下的谐振参数作为响应，生成PUF特征值，基于此，不需要增加额外的设计和生产成本，降低了PUF成本。
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公开(公告)号：CN119382892A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411979055.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请提供了一种压阻式传感器PUF特征值和PUF密钥生成方法。所述方法包括：通过打开压阻式传感器的电源，压阻式传感器包括电源、驱动电压调整电路和压阻传感器结构，经驱动电压调整电路向压阻式传感器输入驱动电压U1；在驱动电压U1下，压力模拟结构模拟M1组外界压力组，获得压阻式传感器在每组外界压力下的电阻‑压力系数K，得到M1组电阻‑压力系数K；调整驱动电压，重复前述步骤，直至得到N组驱动电压下的多个电阻‑压力系数K；将N组驱动电压作为激励，将各个驱动电压下的多个K值作为响应，生成PUF特征值。这一方法能解决传感器上PUF的有效实现。
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