公开(公告)号：CN104637966A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410643783.5

申请日：2014-11-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 永久克己 ,  酒井敦 ,  有江宽之

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供一种具有高灵敏度，产生较少模糊现象并能提供高可靠性图像的光电转换元件的半导体器件。半导体器件具有半导体衬底，第一p型外延层，第二p型外延层以及第一光电转换元件。第一p型外延层形成在半导体衬底的主表面上。第二p型外延层形成为覆盖第一p型外延层的上表面。第一光电转换元件形成在第二p型外延层中。第一和第二p型外延层每个都由硅制成，并且第一p型外延层具有高于第二p型外延层的p型杂质浓度。

公开(公告)号：CN118629980A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410125239.5

申请日：2024-01-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本有纪 ,  有江宽之

IPC: H01L23/485

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有第一主表面和第二主表面的半导体衬底、多个层间介电膜和堆叠在第一主表面上的多个布线层。多个层间介电膜中的每个层间介电膜插入多个布线层中的两个相邻布线层之间以及在第一方向上最靠近第一主表面的多个布线层中的一个布线层与第一主表面之间。朝向第二主表面凹陷的沟槽形成在第一主表面上。沟槽包括沿第二方向延伸的直线部分。多个布线层具有在第一方向上离第一主表面最远的第一布线层和在第一方向上与第一布线层相邻的离第一主表面最远的第二布线层。

公开(公告)号：CN117352534A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310756652.7

申请日：2023-06-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 有江宽之 ,  五十岚孝行

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件，具有半导体衬底、半导体衬底上的BOX膜、BOX膜上的半导体层、穿透半导体层并且到达第一绝缘膜的第一沟槽，第一绝缘膜覆盖第一沟槽的侧表面并在第一沟槽的底部与BOX膜的上表面接触，在第一沟槽的底部形成的第二沟槽，以使第二沟槽穿过第一绝缘膜并且到达BOX膜中，第二绝缘膜填充在第一沟槽和第二沟槽中。第二沟槽的底表面被定位在低于半导体层与BOX膜之间的界面的BOX膜中，并且空隙位于第二绝缘膜中与界面相同的高度处。