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公开(公告)号：CN103492971A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280018085.5
申请日：2012-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F3/30
Abstract: 电压产生电路具有：第1双极型晶体管（Q2）；第2双极型晶体管（Q1），发射极在第1电位节点侧与（Q2）的发射极侧同电位，基极配于（Q2）的集电极侧；一端配于（Q2）的集电极侧另一端配于（Q2）的基极侧的第1电阻元件（R2）；一端配于（Q1）的集电极侧另一端连接于（R2）的另一端的第2电阻元件（R1）；设在（Q2）的基极与第1电位节点之间的第3电阻元件（R3）；输出与（Q1）和（Q2）的集电极侧电压的差电压相应的电压的放大器部（A1）；电压电流转换部（MP1、MP2），将放大器部的输出电压转换成电流而供给到（R1）与（R2）的连接节点，输出生成的电流；基于生成的电流输出电压的电压生成部（R4）。
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公开(公告)号：CN103488234B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201310232130.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地，本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路，以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。
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公开(公告)号：CN106951020A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710121050.9
申请日：2013-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F3/267 , G05F1/463 , G05F1/465 , G05F1/468 , G05F3/30 , H01L27/0635 , G05F1/567
Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地，本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路，以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。
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公开(公告)号：CN103492971B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201280018085.5
申请日：2012-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F3/30
Abstract: 电压产生电路具有：第1双极型晶体管（Q2）；第2双极型晶体管（Q1），发射极在第1电位节点侧与（Q2）的发射极侧同电位，基极配于（Q2）的集电极侧；一端配于（Q2）的集电极侧另一端配于（Q2）的基极侧的第1电阻元件（R2）；一端配于（Q1）的集电极侧另一端连接于（R2）的另一端的第2电阻元件（R1）；设在（Q2）的基极与第1电位节点之间的第3电阻元件（R3）；输出与（Q1）和（Q2）的集电极侧电压的差电压相应的电压的放大器部（A1）；电压电流转换部（MP1、MP2），将放大器部的输出电压转换成电流而供给到（R1）与（R2）的连接节点，输出生成的电流；基于生成的电流输出电压的电压生成部（R4）。
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公开(公告)号：CN103488234A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310232130.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地，本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路，以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。
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