半导体加工用粘合带
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118974890A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202280094221.2

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明的课题在于提供基于刀具的切断性优异的半导体加工用粘合带。其中,该课题通过如下的半导体加工用粘合带而得以解决,所述半导体加工用粘合带具有缓冲层、基材及粘合剂层依次层叠而成的层叠结构,且上述缓冲层满足下述要件(α)及下述要件(β)这两者。·要件(α):上述缓冲层在23℃下的断裂能为15MJ/m3以上。·要件(β):在温度23℃下将上述缓冲层供于拉伸试验时,从断裂应变(ε100)的80%的应变(ε80)增加至上述断裂应变(ε100)为止的应力的增加梯度Δρ80‑100为30MPa以上。

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