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公开(公告)号：CN110168759B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201780076510.9
申请日：2017-12-07
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H10N10/857 , B32B7/027 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B33/00 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法；所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物；所述制造方法是热电转换材料的制造方法，所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；进一步对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN112602204A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055839.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了该芯片(13)的热电转换组件的制造方法。所述热电转换材料的芯片的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(2)的工序；(B)在所述工序(A)中得到的所述牺牲层上形成所述热电转换材料的芯片的工序；(C)对所述工序(B)中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序；以及(D)将所述工序(C)中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序。所述热电转换组件的制造方法中使用了上述热电转换材料的芯片的制造方法得到的芯片。
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公开(公告)号：CN107112409A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069409.1
申请日：2015-12-24
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的帕尔贴冷却元件，所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料，所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜。本发明还提供一种帕尔贴冷却元件的制造方法，所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料，所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN107109151A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069936.2
申请日：2015-08-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/20 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L23/36 , H01L35/30 , H01L35/34 , H02N3/00
Abstract: 本发明谋求导热性粘接片的高导热部及低导热部的尺寸精度的提高、以及低导热部的低导热系数化，进而提供可容易地叠层于电子器件、能够为该电子器件的内部赋予足够的温度差的导热性粘接片、其制造方法及使用了该导热性粘接片的电子器件。本发明的导热性粘接片包含粘接剂层、以及包含高导热部和低导热部的基材，其中，在该基材的一面叠层有粘接剂层，并且在该低导热部含有中空填料，且该中空填料的含量为低导热部总体积中的20～90体积％，另外，该基材的另一面由该低导热部的和与该粘接剂层接触的面相反侧的面、以及该高导热部的和与该粘接剂层接触的面相反侧的面构成，或者，该高导热部和该低导热部的至少任一者构成该基材的厚度的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112823430A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980064492.1
申请日：2019-10-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供无需支撑基板、能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电半导体材料的退火处理、并能够以最优的退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换组件用中间体的制造方法，其是包含由热电半导体组合物形成的P型热电元件层及N型热电元件层的热电转换组件用中间体的制造方法，该方法包括：(A)在基板上形成所述P型热电元件层及N型热电元件层的工序；(B)对在所述工序(A)中得到的所述P型热电元件层及N型热电元件层进行退火处理的工序；(C)在所述工序(B)中得到的退火处理后的P型热电元件层及N型热电元件层上形成包含固化性树脂或其固化物的密封材料层的工序；以及(D)将所述密封材料层、以及在所述工序(B)及(C)中得到的P型热电元件层及N型热电元件层从所述基板剥离的工序。
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公开(公告)号：CN107112409B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201580069409.1
申请日：2015-12-24
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的帕尔贴冷却元件，所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料，所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜。本发明还提供一种帕尔贴冷却元件的制造方法，所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料，所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN110168759A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780076510.9
申请日：2017-12-07
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法；所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物；所述制造方法是热电转换材料的制造方法，所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；进一步对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN112602202A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055211.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序；(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序；(C)对所述热电转换材料层进行退火处理的工序；(D)将退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层(11b)的工序；(E)将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序；以及(F)将单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。
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