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公开(公告)号：CN110634947B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910539437.5
申请日：2019-06-20
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件，包括：第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，呈带状形状，在衬底中在一个方向上平行地延伸并且彼此间隔开；第三沟槽栅极，呈梯状形状，在衬底中在与第一沟槽栅极和第二沟槽栅极之间的一个方向不同的方向上延伸；第一导电类型的体区，分别布置在衬底中在第一沟槽栅极、第二沟槽栅极与第三沟槽栅极之间；一对第一导电类型的浮动第一区，在衬底中围绕第一沟槽栅极和第二沟槽栅极的每个底表面和至少一侧；以及第一导电类型的浮动第二区，在衬底中围绕第三沟槽栅极的底表面。
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公开(公告)号：CN113745322B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110526485.8
申请日：2021-05-14
Applicant: 现代摩比斯株式会社
Inventor： 李珠焕
Abstract: 本申请提供了功率半导体器件和功率半导体芯片。该功率半导体器件包括：半导体层；梯形沟槽，从半导体层的表面向半导体层内凹陷特定深度，并且该沟槽包括具有第一深度的一对线和连接在该对线之间且具有比第一深度浅的第二深度的多个连接件；阱区，被限定在该半导体层中、在该对线之间并且在沟槽的多个连接件之间；浮动区，被限定在该半导体层中、在沟槽的该对线的外部；栅极绝缘层，布置在沟槽的内壁上；以及栅极电极层，布置在栅极绝缘层上以填充沟槽，并且栅极电极层包括填充该对线的第一部分和填充多个连接件的第二部分。栅极电极层的第二部分的深度比栅极电极层的第一部分的深度浅。
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公开(公告)号：CN116936627A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211696554.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及功率半导体器件、功率半导体芯片及其制造方法。该功率半导体器件包括：栅电极，从半导体基板的第一表面凹进至半导体基板的与第一表面相对设置的第二表面；发射器区域，包括第一导电类型的杂质，该发射器区域被设置为与设置有栅电极的沟槽和第一表面接触；收集器区域，包括与第一导电类型相对的第二导电类型的杂质，该收集器区域被设置为与第二表面接触；浮置区域，包括第二导电类型的杂质，该浮置区域在包围沟槽的底面的同时沿着沟槽的延伸方向朝向第二表面延伸；以及沟槽发射器区域，在沟槽中插入栅电极下方。
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公开(公告)号：CN113745322A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110526485.8
申请日：2021-05-14
Applicant: 现代摩比斯株式会社
Inventor： 李珠焕
IPC: H01L29/423 , H01L29/08 , H01L29/739 , H01L29/78 , G01K13/00 , G01R19/00
Abstract: 本申请提供了功率半导体器件和功率半导体芯片。该功率半导体器件包括：半导体层；梯形沟槽，从半导体层的表面向半导体层内凹陷特定深度，并且该沟槽包括具有第一深度的一对线和连接在该对线之间且具有比第一深度浅的第二深度的多个连接件；阱区，被限定在该半导体层中、在该对线之间并且在沟槽的多个连接件之间；浮动区，被限定在该半导体层中、在沟槽的该对线的外部；栅极绝缘层，布置在沟槽的内壁上；以及栅极电极层，布置在栅极绝缘层上以填充沟槽，并且栅极电极层包括填充该对线的第一部分和填充多个连接件的第二部分。栅极电极层的第二部分的深度比栅极电极层的第一部分的深度浅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728082B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201811259649.X
申请日：2018-10-26
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。该器件包括：外延层，其构成有源单元区的一部分并且以第一浓度掺杂有第一导电类型的杂质；场截止区，其位于外延层下方且以第二浓度掺杂有第一导电类型的杂质，该第一导电类型的杂质随后被激活；以及集电极区，其位于场截止区下方并且掺杂有第二导电类型的杂质。该场截止区通过重复交替地布置其中第一导电类型的杂质的激活相对较强的区域和其中第一导电类型的杂质的激活相对较弱的区域来形成。
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公开(公告)号：CN107527943B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201710469418.0
申请日：2017-06-20
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739
Abstract: 本公开涉及功率半导体装置。本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底，包括有源区域和边缘区域并且包含掺杂有具有第一导电类型的杂质的半导体；绝缘膜，设置在衬底的边缘区域上；场板图案，设置在绝缘膜上；以及具有第二导电类型的至少一个第一掺杂区域，被埋入衬底的边缘区域中并且在具有平行于衬底的上表面的矢量分量的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN118507521A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311611768.8
申请日：2023-11-29
Applicant: 现代摩比斯株式会社
Inventor： 李珠焕
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种功率半导体器件，包括：半导体层，其具有第一导电类型，并且被配置为包括从所述半导体层的上部区形成的以部分向上突出的凸起；屏蔽区，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且设置在所述凸起中，并被配置为接触所述凸起的顶面；栅极绝缘层，其设置在所述半导体层上并且被配置为覆盖所述凸起并与所述屏蔽区接触；以及栅极电极层，其设置在所述栅极绝缘层上。该功率半导体器件具有更高的击穿电压和更优异的散热特性，并且即使在高温下也可以表现出稳定的运行特性。
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公开(公告)号：CN111916447B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010378086.7
申请日：2020-05-07
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L27/082
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体装置。根据本发明的实施方式的功率半导体装置，包括：半导体层，其包括主单元区域、传感器区域以及在主单元区域和传感器区域之间的绝缘区域；设置在主单元区域上的多个功率半导体晶体管；设置在传感器区域上的多个电流传感器晶体管；以及保护电阻层，跨绝缘区域设置在半导体层上，从而多个功率半导体晶体管的至少一部分和多个电流传感器晶体管的至少一部分在异常操作条件下彼此连接。
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公开(公告)号：CN116960168A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211671720.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开电力半导体元件、包括其电力半导体芯片及其制造方法。根据本发明的一个实施例的电力半导体元件可包括：每一个配置成从半导体基板的第一面朝向与所述第一面相对的第二面凹陷(recess)的栅极电极；配置成与所述栅极电极配置的沟槽及各所述第一面相接，且包含第一导电型的掺杂物的发射区域；配置成与所述第二面相接，包含作为所述第一导电型的相反导电型的第二导电型的掺杂物的集电区域；包围所述沟槽的底面且沿所述沟槽的延伸方向朝向所述第二面延伸，包含所述第二导电型的掺杂物的浮置区域；以及在所述沟槽内配置于所述栅极电极之间的沟槽发射区域。根据本发明的电力半导体元件能够在保持耐压特性的同时提高工作稳定性。
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