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公开(公告)号:CN100503666C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200480038211.9
申请日:2004-12-22
Applicant: 狮王株式会社
IPC: C08F212/14 , G03F7/039 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供适宜用作用于以光刻蚀法为中心的纳米加工的高分子材料的超支化聚合物。本发明的超支化聚合物的特征在于:聚合物分子末端具有对叔丁氧基苯乙烯等酸分解性基团,其结合在氯甲基苯乙烯等采用活性自由基聚合形成的芯部上。
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公开(公告)号:CN1898281A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200480038211.9
申请日:2004-12-22
Applicant: 狮王株式会社
IPC: C08F212/14 , G03F7/039 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供适宜用作用于以光刻蚀法为中心的纳米加工的高分子材料的超支化聚合物。本发明的超支化聚合物的特征在于:聚合物分子末端具有对叔丁氧基苯乙烯等酸分解性基团,其结合在氯甲基苯乙烯等采用活性自由基聚合形成的芯部上。
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