公开(公告)号：CN101171530A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200680015600.9

申请日：2006-03-03

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  公立大学法人大阪府立大学

Inventor： 佐藤和朗 ,  四谷任 ,  石田武和 ,  三木茂人

IPC: G01T3/04 ,  H01L39/00 ,  G01T1/26

CPC classification number: G01T3/00 ,  G01T1/1606 ,  G01T3/08

Abstract: 本发明提供一种可通过简单的装置结构变更来设定灵敏度和时间分辨能力的中子检测装置。具备多个中子检测元件部，该中子检测元件部具有：超导元件(20)，其具有至少一个表面由电介质材料(11)形成的基体材料(10)、在表面上形成的超导材料的带状线(2)、以及在带状线(2)的两端部分形成的电极部(1)；电阻测定单元，利用带状线(2)的电阻值的变化来测定因带状线(2)中的超导元素与中子的核反应引起的发热；以及散热设定单元(5)，在与形成有带状线(2)的表面相反一侧的基体材料的背面部，设定由核反应引起的发热的散热性，在中子检测元件部之间，使散热性互不相同。

公开(公告)号：CN101171530B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200680015600.9

申请日：2006-03-03

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  公立大学法人大阪府立大学

Inventor： 佐藤和朗 ,  四谷任 ,  石田武和 ,  三木茂人

IPC: G01T3/04 ,  H01L39/00 ,  G01T1/26

CPC classification number: G01T3/00 ,  G01T1/1606 ,  G01T3/08

Abstract: 本发明提供一种可通过简单的装置结构变更来设定灵敏度和时间分辨能力的中子检测装置。具备多个中子检测元件部，该中子检测元件部具有：超导元件(20)，其具有至少一个表面由电介质材料(11)形成的基体材料(10)、在表面上形成的超导材料的带状线(2)、以及在带状线(2)的两端部分形成的电极部(1)；电阻测定单元，利用带状线(2)的电阻值的变化来测定因带状线(2)中的超导元素与中子的核反应引起的发热；以及散热设定单元(5)，在与形成有带状线(2)的表面相反一侧的基体材料的背面部，设定由核反应引起的发热的散热性，在中子检测元件部之间，使散热性互不相同。