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公开(公告)号：CN101008080B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610004759.2
申请日：2006-01-27
Abstract: 提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101008080A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610004759.2
申请日：2006-01-27
Abstract: 提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。
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公开(公告)号：CN102057463B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200980121625.0
申请日：2009-06-09
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/76 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/8258 , C30B25/02 , C30B29/36 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L21/8213
Abstract: 为了提供可以得到结晶性良好的氮化合物半导体层的氮化合物半导体基板的制造方法，进行如下工序：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)的工序；将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与上述埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留的工序；以及，再使氮化合物半导体层(15)在表面的单晶SiC上外延生长的工序。为了提供可以得到结晶性良好的SiC层的单晶SiC基板的制造方法，进行如下操作：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)，在将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留。
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公开(公告)号：CN102057463A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121625.0
申请日：2009-06-09
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/76 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/8258 , C30B25/02 , C30B29/36 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L21/8213
Abstract: 为了提供可以得到结晶性良好的氮化合物半导体层的氮化合物半导体基板的制造方法，进行如下工序：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)的工序；将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与上述埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留的工序；以及，再使氮化合物半导体层(15)在表面的单晶SiC上外延生长的工序。为了提供可以得到结晶性良好的SiC层的单晶SiC基板的制造方法，进行如下操作：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)，在将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，在使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留。
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公开(公告)号：CN101868566A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116838.X
申请日：2008-10-29
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C14/48 , C30B1/10 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/316 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/265 , C30B1/10 , C30B29/36 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02529 , H01L21/02614 , H01L21/76251
Abstract: 以价格比较低的多晶SiC基板作为母材基板，低价地制造变形小、大型、结晶性好的单晶SiC基板。进行如下工序：P离子导入工序，其对于在Si母材层(2)形成了规定厚度的表面Si层(3)和埋入氧化物层(4)的SOI基板(1)，从所述表面Si层(3)侧注入P离子，从而将所述埋入氧化物层(4)转化成PSG层(6)，使软化点降低；SiC形成工序，其在烃系气体气氛中加热形成了所述PSG层(6)的SOI基板(1)，使所述表面Si层(3)转化成SiC后冷却，在表面形成单晶SiC层(5)。
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公开(公告)号：CN101868566B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880116838.X
申请日：2008-10-29
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C14/48 , C30B1/10 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/316 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/265 , C30B1/10 , C30B29/36 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02529 , H01L21/02614 , H01L21/76251
Abstract: 以价格比较低的多晶SiC基板作为母材基板，低价地制造变形小、大型、结晶性好的单晶SiC基板。进行如下工序：P离子导入工序，其对于在Si母材层(2)形成了规定厚度的表面Si层(3)和埋入氧化物层(4)的SOI基板(1)，从所述表面Si层(3)侧注入P离子，从而将所述埋入氧化物层(4)转化成PSG层(6)，使软化点降低；SiC形成工序，其在烃系气体气氛中加热形成了所述PSG层(6)的SOI基板(1)，使所述表面Si层(3)转化成SiC后冷却，在表面形成单晶SiC层(5)。
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