公开(公告)号：CN114011412A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111315751.9

申请日：2021-11-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李媛 ,  王国鹏 ,  陈康莉 ,  王继东 ,  韩树民

IPC: B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J35/02 ,  B01J35/04 ,  B01J35/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B3/06 ,  C01G51/04

Abstract: 一种氧化钴多孔纳米片及其制备方法与应用，属于催化剂制备技术领域。本发明提供了一种氧化钴多孔纳米片是通过获得硫掺杂氢氧化钴前驱体，再干燥后，进行两段高温焙烧后冷却制备得到的。该氧化钴多孔纳米片的厚度为5‑20nm。还提供了该氧化钴多孔纳米片的制备方法和应用。该氧化钴多孔纳米片可以负载金属纳米颗粒制成复合催化剂，所制备的Co/CoO催化剂用作高活性的硼氢化钠水溶液产氢催化剂，产氢速率高达3345mlH2·gcat‑1·min‑1。本发明中氧化钴多孔纳米片制备方法简便，所制备的氧化钴多孔纳米片可以作为高比表面积的载体制备硼氢化钠水解产氢的复合催化剂。

公开(公告)号：CN114011412B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202111315751.9

申请日：2021-11-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李媛 ,  王国鹏 ,  陈康莉 ,  王继东 ,  韩树民

IPC: B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J35/02 ,  B01J35/04 ,  B01J35/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B3/06 ,  C01G51/04

Abstract: 一种氧化钴多孔纳米片及其制备方法与应用，属于催化剂制备技术领域。本发明提供了一种氧化钴多孔纳米片是通过获得硫掺杂氢氧化钴前驱体，再干燥后，进行两段高温焙烧后冷却制备得到的。该氧化钴多孔纳米片的厚度为5‑20nm。还提供了该氧化钴多孔纳米片的制备方法和应用。该氧化钴多孔纳米片可以负载金属纳米颗粒制成复合催化剂，所制备的Co/CoO催化剂用作高活性的硼氢化钠水溶液产氢催化剂，产氢速率高达3345mlH2·gcat‑1·min‑1。本发明中氧化钴多孔纳米片制备方法简便，所制备的氧化钴多孔纳米片可以作为高比表面积的载体制备硼氢化钠水解产氢的复合催化剂。