公开(公告)号：CN119019171A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410930067.9

申请日：2024-07-11

Applicant: 燕山大学

Inventor： 徐龙华 ,  王书云 ,  黄传真 ,  王真 ,  黄水泉 ,  曲美娜 ,  许征凯 ,  张迪嘉 ,  郭保苏

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及陶瓷技术领域，具体涉及一种中熵陶瓷材料及其制备方法与应用。中熵陶瓷材料，其原料包括等物质的量WC、TiC、B4C、HfB2和ZrB2。在中熵陶瓷体系中加入第二种阴离子时，其熵的增加与添加额外金属元素导致熵的增加是等效的。因此，中熵陶瓷体系从只含一种阴离子过渡到含两种阴离子时，构型熵会显著增加，同时也会存在更加严重的晶格畸变，进而提升中熵陶瓷的性能，本发明中引入两种阴离子，选用硼碳化物陶瓷体系，使得材料表现出良好的力学性能。