一种获得单晶铁原子级干净表面的方法

    公开(公告)号:CN119859848A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202510070236.0

    申请日:2025-01-16

    Applicant: 燕山大学

    Inventor: 黄建宇 涂炜 刘伟

    Abstract: 本发明公开了一种获得单晶铁原子级干净表面的方法,属于材料科学与表面工程技术领域,该方法,包括以下步骤:于室温、超高真空下,采用电子束对单晶铁样品进行表面处理,得到单晶铁原子级干净表面;其中,表面处理过程包括电子束切割和电子束辐照。即本发明在高真空条件下使用电子束精确处理表面氧化层,可以有效获得原子级干净的单晶铁表面,解决了现有(电)化学清洗和机械抛光难以完全去除铁表面氧化层的问题。

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