一种氧化锑膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105908234A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610297100.4

    申请日:2016-05-06

    Applicant: 燕山大学

    CPC classification number: C25D9/08 C01G30/005

    Abstract: 一种氧化锑膜的制备方法,其主要是先按每11毫升乙二胺和1,2?乙二硫醇混合溶液加入0.01?0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于乙二胺和1,2?乙二硫醇混合溶液,制得电沉积液;然后将两块透明电极垂直排列放入装有电沉积液的电解槽中进行阴极恒电位电沉积,电压为1.5?8V,电镀时间为5?30min,电沉积结束后,阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜;膜电极在水中浸泡1?24小时,在氮气气氛下300度到400度热处理1?10分钟,自然冷却至室温,在导电基体得到氧化锑膜。本发明制备方法简单、反应时间短、产率高,适用于工厂大批量生产,实用性强,具有很好的应用前景。

    一种氧化锑膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105908234B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201610297100.4

    申请日:2016-05-06

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种氧化锑膜的制备方法,其主要是先按每11毫升乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液加入0.01‑0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液,制得电沉积液;然后将两块透明电极垂直排列放入装有电沉积液的电解槽中进行阴极恒电位电沉积,电压为1.5‑8V,电镀时间为5‑30min,电沉积结束后,阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜;膜电极在水中浸泡1‑24小时,在氮气气氛下300度到400度热处理1‑10分钟,自然冷却至室温,在导电基体得到氧化锑膜。本发明制备方法简单、反应时间短、产率高,适用于工厂大批量生产,实用性强,具有很好的应用前景。

    一种硫化锑膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105951146A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201610296937.7

    申请日:2016-05-06

    Applicant: 燕山大学

    CPC classification number: C25D9/08

    Abstract: 一种硫化锑膜的制备方法,其主要是先按每11毫升乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液加入0.01‑0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于1,2‑乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液,制得电沉积液;然后将两块透明电极垂直排列放入装有电沉积液的电解槽中进行阴极恒电位电沉积,电压为1.5‑8V,电镀时间为5‑30min,电沉积结束后,阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜;将电沉积膜在氮气气氛下300‑400度热处理,自然冷却至室温,得到硫化锑膜。本发明制备方法简单、反应时间短、产率高,适用于工厂大批量生产,实用性强,制备的硫化锑膜可应用于催化和太阳能电池中,在光导材料领域具有广阔的应用前景。

    一种硫化锑膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105951146B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201610296937.7

    申请日:2016-05-06

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种硫化锑膜的制备方法,其主要是先按每11毫升乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液加入0.01‑0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于1,2‑乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液,制得电沉积液;然后将两块透明电极垂直排列放入装有电沉积液的电解槽中进行阴极恒电位电沉积,电压为1.5‑8V,电镀时间为5‑30min,电沉积结束后,阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜;将电沉积膜在氮气气氛下300‑400度热处理,自然冷却至室温,得到硫化锑膜。本发明制备方法简单、反应时间短、产率高,适用于工厂大批量生产,实用性强,制备的硫化锑膜可应用于催化和太阳能电池中,在光导材料领域具有广阔的应用前景。

Patent Agency Ranking