基于Sb2Se3可饱和吸收体的全光纤激光器及脉冲产生方法

    公开(公告)号:CN118523158A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410624051.5

    申请日:2024-05-20

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于Sb2Se3可饱和吸收体的全光纤激光器及脉冲产生方法,装置包括模块一和模块二,模块一由连续光源、波分复用器、掺铒光纤、偏振控制器、偏振无关隔离器、Sb2Se3可饱和吸收体、单模光纤、光耦合器组成,用于产生脉冲并切换单双波长和脉冲种类;模块二包括光耦合器、光谱仪、示波器和自相关仪,用于观察模块一中的脉冲情况。本发明提供了两种Sb2Se3可饱和吸收体,分别为D型抛磨光纤Sb2Se3可饱和吸收体与拉锥光纤Sb2Se3可饱和吸收体。选择拉锥光纤Sb2Se3可饱和吸收体,通过调节模块一的偏振控制器和连续光源输入功率,可以切换脉冲种类;选择D型抛磨光纤Sb2Se3可饱和吸收体,可以产生稳定的传统孤子脉冲。

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