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发明公开
一种(TiCrMoNbTa)C系高熵陶瓷及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119753472A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411975515.3

申请日：2024-12-31

Applicant: 燕山大学

Inventor： 战再吉 , 崔凤婷 , 曹海要

IPC: C22C29/06 , C22C1/051 , B22F3/14 , B22F9/04

Abstract: 本发明公开了一种(TiCrMoNbTa)C系高熵陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷材料制备技术领域，为单相面心立方结构的陶瓷，原料包括Ti、TiC、Mo2C、TaC、NbC和Cr3C2；制备方法为：S1将五种碳化物原料粉末混合均匀，得到混合粉末A；S2将混合粉末A与金属Ti按比例混合均匀，得到混合粉末B；S3将混合粉末B放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，得到了(TiCrMoNbTa)C系高熵陶瓷。本发明通过选用不同摩尔含量的Ti粉和碳化物粉相结合制备非化学计量比高熵碳化物陶瓷，实现碳空位的引入，有效提高材料的扩散系数，最终形成具有单相的固溶体，制备的高熵陶瓷具备高致密度、高硬度。

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