平面阵列电容传感器的敏感场优化方法及成像系统

    公开(公告)号:CN116227274A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310042497.2

    申请日:2023-01-28

    Abstract: 本发明涉及一种平面阵列电容传感器的敏感场优化方法及成像系统,属于电容层析成像技术领域,解决了现有技术中平面阵列电容传感器的敏感场具有软场效应、灵敏度分布均匀性差的问题。本发明的方法包括:根据预设的卷积核和移动步长对目标传感器的敏感场的待优化灵敏度矩阵进行卷积运算,以获取卷积平均值;根据获取的所述卷积平均值优化所述待优化灵敏度矩阵中的元素,以获取优化后的灵敏度矩阵;其中,所述卷积平均值为卷积运算时所述卷积核与在其所在位置覆盖的待优化灵敏度矩阵的子矩阵进行对位相乘运算获得的多个乘积值的平均值。实现了提高敏感场的灵敏度分布均匀性,弱化软场效应的效果,进而应用于成像系统中时能够提高图像重建的质量。

Patent Agency Ranking