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公开(公告)号：CN103695989A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310725956.3
申请日：2013-12-25
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种空间微电子行业用纳米二硫化钼-铜电接触薄膜及其制备方法。所述薄膜组分质量比为铜:二硫化钼=（94～97）:（6～3），薄膜厚度为10~70微米，薄膜孔隙率小于1%；电导率真空热处理后最高可达62IACS%；在滑动速度为≤0.2米/秒、载荷为1牛顿时，薄膜摩擦系数≤0.1。所述制备方法是：该薄膜以纳米二硫化钼颗粒为固体润滑剂，通过电刷镀技术将纳米二硫化钼颗粒均匀分散在铜基质中，铜基质通过电化学原理沉积出来并将纳米二硫化钼颗粒紧密包裹。本发明显著改善了真空环境铜的摩擦磨损性能，是一种可以从一定程度上代替金-二硫化钼（Au-MoS2）薄膜作为空间微电子产业用的电接触薄膜材料。
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