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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116299851B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310039696.8
申请日：2023-01-12
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供了一种基于混合表面等离子体波导的高带宽功率分束器，属于一种光功率分束器，包括外包层、设置在所述外包层里面的两根条形波导以及设置在所述两根条形波导之间的交错锯齿结构，所述两根条形波导包括一根硅波导和一根混合表面等离子体波导，所述混合表面等离子体波导包括自下而上顺序叠接的硅基层、低折射率层和金属层，所述外包层和低折射率层的波导材料为二氧化硅，所述硅波导、硅基层和交错锯齿结构的波导材料为硅，所述金属层的材料为金,光从所述混合表面等离子体波导的输入端进入波导后在所述硅波导和所述混合表面等离子体波导中耦合传输实现功率分束。本发明有高宽带、尺寸小、结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN117452558A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311600504.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料亚波长结构的偏振分束器，包括硅衬底和设置于硅衬底上表面且包覆有二氧化硅包层的硅波导芯层；硅波导芯层包括定向耦合器和偏振滤波器；定向耦合器由两段宽度相同的光波导和九段宽度相同的亚波长光栅波导组成，在两段光波导和九段亚波长光栅波导中TM偏振的有效光程相同，而TE偏振的有效光程不同，因此将TM偏振耦合到TM输出端，同时亚波长光栅波导用以过滤TE偏振；偏振滤波器包裹在TE输出端，包括十段弯曲波导，用以过滤TM偏振；本发明可利用集成工艺制备，工艺简单且容差较大，且具有带宽大、偏振消光比高、插入损耗小的优点。
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公开(公告)号：CN115826137B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202211464350.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种基于定向耦合型的宽带偏振分束器，属于光子集成技术领域，包括硅衬底、硅波导芯层和二氧化硅包层；硅波导芯层位于二氧化硅包层内部；二氧化硅包层位于硅衬底上表面；硅波导芯层包括输入波导、定向耦合器第一段弯曲波导、定向耦合器第二段弯曲波导、定向耦合器第三段弯曲波导、滤波器第一段弯曲波导、滤波器第二段弯曲波导、TE偏振输出波导和TM偏振输出波导。本发明在耦合器中引入亚波长光栅结构，使得TE偏振态在耦合区处于反射态，降低其耦合效率，TM偏振态几乎没有影响，保证了TM高耦合效率，提升了TE偏振态的消光比；可利用集成工艺制备，工艺简单且容差大，具有带宽大、偏振消光比高、插入损耗小、尺寸小的优点。
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公开(公告)号：CN116299851A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310039696.8
申请日：2023-01-12
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供了一种基于混合表面等离子体波导的高带宽功率分束器，属于一种光功率分束器，包括外包层、设置在所述外包层里面的两根条形波导以及设置在所述两根条形波导之间的交错锯齿结构，所述两根条形波导包括一根硅波导和一根混合表面等离子体波导，所述混合表面等离子体波导包括自下而上顺序叠接的硅基层、低折射率层和金属层，所述外包层和低折射率层的波导材料为二氧化硅，所述硅波导、硅基层和交错锯齿结构的波导材料为硅，所述金属层的材料为金,光从所述混合表面等离子体波导的输入端进入波导后在所述硅波导和所述混合表面等离子体波导中耦合传输实现功率分束。本发明有高宽带、尺寸小、结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN115826137A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211464350.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种基于定向耦合型的宽带偏振分束器，属于光子集成技术领域，包括硅衬底、硅波导芯层和二氧化硅包层；硅波导芯层位于二氧化硅包层内部；二氧化硅包层位于硅衬底上表面；硅波导芯层包括输入波导、定向耦合器第一段弯曲波导、定向耦合器第二段弯曲波导、定向耦合器第三段弯曲波导、滤波器第一段弯曲波导、滤波器第二段弯曲波导、TE偏振输出波导和TM偏振输出波导。本发明在耦合器中引入亚波长光栅结构，使得TE偏振态在耦合区处于反射态，降低其耦合效率，TM偏振态几乎没有影响，保证了TM高耦合效率，提升了TE偏振态的消光比；可利用集成工艺制备，工艺简单且容差大，具有带宽大、偏振消光比高、插入损耗小、尺寸小的优点。
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