公开(公告)号：CN116553549A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310414919.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 燕山大学

Inventor： 邹国栋 ,  万涵宸 ,  彭秋明 ,  张柏文

IPC: C01B32/90

Abstract: 本申请涉及MXenes二维材料的制备方法技术领域，更具体地说，它涉及一种利用等离子体刻蚀和修饰技术制备终端基团可控的MXenes材料的方法。可控终端基团MXenes材料的化学组成表达式为：Mn+1XnTx，其中M代表前过渡金属元素(Sc、Ti、V、Nb、Mo等)，X代表C或/和N元素，Tx代表Cl/Br/I/N/S/P/Si等终端基团基团中的一种或多种，所述MXenes材料包括Ti3C2Tx、Ti2CTx、Ti3CNTx、Ti2NTx、Ti4N3Tx、Ti2(CN)Tx、(Ti，V)2CTx、(Ti，Nb)2CTx、(Ti，Nb)4C3Tx、(Ti,V,Zr,Nb,Ta)2CTx、TiVNbMoC3Tx、TiVCrMoC3Tx、Mo3C2Tx、Mo2CTx、Mo2NTx、Mo1.33CTx、(Mo,V)4C3Tx、(Mo2Sc)C2Tx、(Mo2Ti)C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、(Mo4V)C4Tx、Mo1.33Y0.66CTx、V2CTx、V2NTx、V4C3Tx、Nb2CTx、Nb1.33CTx、Nb4C3Tx、(Nb,Zr)4C3Tx、Cr2CTx、(Cr2V)C2Tx、VCrCTx、(Cr2Ti)C2Tx、Ta4C3Tx、Ta2CTx、Ti4N3Tx、Ti2NTx、(Ta,Ti)3C2Tx、W1.33CTx、Zr3C2Tx、Zr2CTx、Hf3C2Tx、Hf2CTx、Hf2NTx。纯度与产率都大大提高，并且可精准调控表面终端基团。

公开(公告)号：CN116553549B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202310414919.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 燕山大学

Inventor： 邹国栋 ,  万涵宸 ,  彭秋明 ,  张柏文

IPC: C01B32/90

Abstract: 本申请涉及MXenes二维材料的制备方法技术领域，更具体地说，它涉及一种利用等离子体刻蚀和修饰技术制备终端基团可控的MXenes材料的方法。可控终端基团MXenes材料的化学组成表达式为：Mn+1XnTx，其中M代表前过渡金属元素(Sc、Ti、V、Nb、Mo等)，X代表C或/和N元素，Tx代表Cl/Br/I/N/S/P/Si等终端基团基团中的一种或多种，所述MXenes材料包括Ti3C2Tx、Ti2CTx、Ti3CNTx、Ti2NTx、Ti4N3Tx、Ti2(CN)Tx、(Ti，V)2CTx、(Ti，Nb)2CTx、(Ti，Nb)4C3Tx、(Ti,V,Zr,Nb,Ta)2CTx、TiVNbMoC3Tx、TiVCrMoC3Tx、Mo3C2Tx、Mo2CTx、Mo2NTx、Mo1.33CTx、(Mo,V)4C3Tx、(Mo2Sc)C2Tx、(Mo2Ti)C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、(Mo4V)C4Tx、Mo1.33Y0.66CTx、V2CTx、V2NTx、V4C3Tx、Nb2CTx、Nb1.33CTx、Nb4C3Tx、(Nb,Zr)4C3Tx、Cr2CTx、(Cr2V)C2Tx、VCrCTx、(Cr2Ti)C2Tx、Ta4C3Tx、Ta2CTx、Ti4N3Tx、Ti2NTx、(Ta,Ti)3C2Tx、W1.33CTx、Zr3C2Tx、Zr2CTx、Hf3C2Tx、Hf2CTx、Hf2NTx。纯度与产率都大大提高，并且可精准调控表面终端基团。

公开(公告)号：CN118108190A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410079696.5

申请日：2024-01-19

Applicant: 燕山大学

Inventor： 邹国栋 ,  万涵宸 ,  彭秋明 ,  张恒远 ,  李健华 ,  李森

IPC: C01B21/076 ,  H01M10/42 ,  H01M10/05 ,  C01B32/914 ,  C01B32/907 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种高效等离子剥离MXenes材料的方法及其应用，属于MXenes二维材料制备技术领域。本发明剥离方法包括：1、称取具有表面终端基团的多层MXenes材料粉末，铺散于不锈钢滚筒内，放入旋转滚筒型等离子刻蚀处理机的反应腔室中；2、通入Ar气体清洗3‑4次，更换稀有气体，在真空保护下采用等离子体处理反应，获得少层或单层MXenes材料。本发明适用于剥离不同种类终端基团的MXenes片层，条件简单可控，厚度在纳米级别且具有连续的大尺寸、较强的边缘基团保持率、水溶液中较好的分散均匀；用于构建碱金属电池负极的SEI膜呈现出机械强度高，且具有一定的弹性和良好的离子传输能力等优点，有效抑制金属枝晶的产生。