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公开(公告)号：CN111940909A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010862777.4
申请日：2020-08-25
Applicant: 烟台大学
IPC: B23K26/352 , B23K26/70 , A61N1/05
Abstract: 本发明公开了一种制备脑深部刺激套管电极微织构的平台，包括底座、空间位姿调整装置、定位夹持装置、在线观测装置、激光加工装置和定位支撑装置；所述空间位姿调整装置包括底板、工作台板、调节螺杆和转臂，所述底板安装于底座上，所述工作台板中部位置与底板转动连接，所述调节螺杆可转动的设置于工作台板上，所述转臂的上端转动连接连接杆，所述调节螺杆与连接杆螺纹连接，所述转臂的下端与底板转动连接，本发明的有益效果：可实现对薄壁中空套管电极的稳定夹持，防止薄壁中空套管电极因夹持而变形；实现薄壁中空套管电极的导向支撑功能，既能保证套管电极的直线度，又能限制套管电极的旋转跳动误差。
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公开(公告)号：CN111111003A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010065752.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 烟台大学
Abstract: 本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布，通过固体纳秒激光系统、转速及转角可控的中空旋转夹持器和斜度可调的角度倾斜台，以激光扫描的加工形式，在套管电极外圆柱面上加工出直线型沟槽，自动高效的完成加工，并且保证沟槽的尺寸精度，制备获得的套管电极可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。
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公开(公告)号：CN110975137A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN202010065753.6
申请日：2020-01-20
Applicant: 烟台大学
IPC: A61N1/05 , B23K26/082 , B23K26/352 , B23K26/364 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布24列，仿生微织构区域总长59.5 mm，其两端的直线型沟槽头部对齐，与穿刺端面的距离为0.5 mm，相邻列直线型沟槽交错分布，可相互协助支撑脑组织在圆柱表面的包裹作用；以上所有直线型沟槽的宽度均为18µm，深度均为10µm，本发明可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。
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公开(公告)号：CN111940909B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010862777.4
申请日：2020-08-25
Applicant: 烟台大学
IPC: B23K26/352 , B23K26/70 , A61N1/05
Abstract: 本发明公开了一种制备脑深部刺激套管电极微织构的平台，包括底座、空间位姿调整装置、定位夹持装置、在线观测装置、激光加工装置和定位支撑装置；所述空间位姿调整装置包括底板、工作台板、调节螺杆和转臂，所述底板安装于底座上，所述工作台板中部位置与底板转动连接，所述调节螺杆可转动的设置于工作台板上，所述转臂的上端转动连接连接杆，所述调节螺杆与连接杆螺纹连接，所述转臂的下端与底板转动连接，本发明的有益效果：可实现对薄壁中空套管电极的稳定夹持，防止薄壁中空套管电极因夹持而变形；实现薄壁中空套管电极的导向支撑功能，既能保证套管电极的直线度，又能限制套管电极的旋转跳动误差。
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公开(公告)号：CN111940908B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010862774.0
申请日：2020-08-25
Applicant: 烟台大学
IPC: B23K26/352 , B23K26/70 , A61N1/05
Abstract: 本发明公开了一种脑深部刺激套管电极的微织构加工设备，包括底座、空间位姿调整装置、定位夹持装置、在线观测装置、激光加工装置和定位支撑装置；所述空间位姿调整装置包括底板、工作台板、调节螺杆和转臂，所述底板安装于底座上，所述工作台板中部位置与底板转动连接，所述调节螺杆可转动的设置于工作台板上，所述转臂的上端转动连接连接杆，所述调节螺杆与连接杆螺纹连接，所述转臂的下端与底板转动连接，本发明的有益效果：可实现对薄壁中空套管电极的稳定夹持，防止薄壁中空套管电极因夹持而变形；实现薄壁中空套管电极的导向支撑功能，既能保证套管电极的直线度，又能限制套管电极的旋转跳动误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111940908A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010862774.0
申请日：2020-08-25
Applicant: 烟台大学
IPC: B23K26/352 , B23K26/70 , A61N1/05
Abstract: 本发明公开了一种脑深部刺激套管电极的微织构加工设备，包括底座、空间位姿调整装置、定位夹持装置、在线观测装置、激光加工装置和定位支撑装置；所述空间位姿调整装置包括底板、工作台板、调节螺杆和转臂，所述底板安装于底座上，所述工作台板中部位置与底板转动连接，所述调节螺杆可转动的设置于工作台板上，所述转臂的上端转动连接连接杆，所述调节螺杆与连接杆螺纹连接，所述转臂的下端与底板转动连接，本发明的有益效果：可实现对薄壁中空套管电极的稳定夹持，防止薄壁中空套管电极因夹持而变形；实现薄壁中空套管电极的导向支撑功能，既能保证套管电极的直线度，又能限制套管电极的旋转跳动误差。
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公开(公告)号：CN110975137B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202010065753.6
申请日：2020-01-20
Applicant: 烟台大学
IPC: A61N1/05 , B23K26/082 , B23K26/352 , B23K26/364 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布24列，仿生微织构区域总长59.5 mm，其两端的直线型沟槽头部对齐，与穿刺端面的距离为0.5 mm，相邻列直线型沟槽交错分布，可相互协助支撑脑组织在圆柱表面的包裹作用；以上所有直线型沟槽的宽度均为18µm，深度均为10µm，本发明可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。
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公开(公告)号：CN111111003B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010065752.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 烟台大学
Abstract: 本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布，通过固体纳秒激光系统、转速及转角可控的中空旋转夹持器和斜度可调的角度倾斜台，以激光扫描的加工形式，在套管电极外圆柱面上加工出直线型沟槽，自动高效的完成加工，并且保证沟槽的尺寸精度，制备获得的套管电极可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。
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公开(公告)号：CN212793621U
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202021794190.6
申请日：2020-08-25
Applicant: 烟台大学
IPC: B23K26/70 , B23K26/08 , B23K26/352 , B23K37/04 , A61N1/05
Abstract: 本实用新型公开了一种套管电极夹持装置，包括底座、空间位姿调整装置、定位夹持装置和定位支撑装置；所述空间位姿调整装置包括底板、工作台板、调节螺杆和转臂，所述底板安装于底座上，所述工作台板中部位置与底板转动连接，所述调节螺杆可转动的设置于工作台板上，所述转臂的上端转动连接连接杆，所述调节螺杆与连接杆螺纹连接，所述转臂的下端与底板转动连接，本实用新型的有益效果：可实现对薄壁中空套管电极的稳定夹持，防止薄壁中空套管电极因夹持而变形；实现薄壁中空套管电极的导向支撑功能，既能保证套管电极的直线度，又能限制套管电极的旋转跳动误差。
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公开(公告)号：CN211486225U
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202020127471.X
申请日：2020-01-20
Applicant: 烟台大学
IPC: A61N1/05 , B23K26/082 , B23K26/352 , B23K26/364 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本实用新型旨在降低脑部刺激手术中套管电极圆柱面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布24列，仿生微织构区域总长59.5 mm，其两端的直线型沟槽头部对齐，与穿刺端面的距离为0.5 mm，相邻列直线型沟槽交错分布，可相互协助支撑脑组织在圆柱表面的包裹作用；以上所有直线型沟槽的宽度均为18µm，深度均为10µm，本实用新型可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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