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公开(公告)号：CN114974776B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210609436.5
申请日：2022-05-31
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钕铁硼稀土磁体及其制备方法，涉及稀土磁体制备技术领域，通过设计扩散源与磁体的配合扩散，进行扩散、时效处理，得到高性能无重稀土磁体。其中扩散源的制作方式是在扩散源薄片上镀一层无重稀土合金膜层，进行时效处理，形成新型扩散源，其中扩散源薄片是RαRHδMβBγFe100‑α‑β‑γ‑δ，无重稀土膜层是化学式为RnMm，进行时效处理，形成新型扩散源；钕铁硼磁体的化学式是RaM1bM2cBdFe100‑a‑b‑c‑d，磁体扩散含Dy扩散源后剩磁降低幅度低于0.15kGs,Hcj增加幅度大于8kOe，扩散含Tb扩散源后剩磁降低幅度低于0.15kGS,Hcj增加幅度大于11kOe。
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公开(公告)号：CN113871123B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111121731.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低成本稀土磁体及制造方法。低成本稀土磁体由钕铁硼合金及涂覆在所述钕铁硼合金表面的扩散源薄膜制备而成，所述钕铁硼合金由钕铁硼合金原料、低熔点粉料和其他添加剂混合制备而成，所述混合低熔点粉料含有CeCu、CeAl和CeGa，所述扩散源具有式R1xR2yHzM1‑x‑y‑z所示的组成，其中R1是指Nd，Pr中的至少一种，R2为Ho、Gd中至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，本发明的有益之处是较少重稀土含量的情况下，大幅增加磁体的矫顽力，降低磁体的生产成本。
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公开(公告)号：CN115440495A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211239979.9
申请日：2022-10-10
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及钕铁硼制备技术领域，尤其涉及钕铁硼磁体矫顽力提升方法以及由该方法制备的磁体，其具体方法如下：(S1)将重稀土扩散源粉末、有机粘接剂、球形耐高温陶瓷粉末、有机溶剂、混合并搅拌后制备重稀土浆料；(S2)将上述重稀土浆料涂覆到钕铁硼磁体表面并进行烘干形成重稀土涂层；(S3)高温扩散和时效处理。本发明所述的一种钕铁硼磁体矫顽力提升方法以及由该方法制备的磁体重稀土涂层硬度和强度高，在生产过程中不易划伤磨损，扩散过程中不会产生收缩,且重稀土供应持续稳定，使得扩散后钕铁硼磁体的性能更高更均匀且重稀土消耗少。
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公开(公告)号：CN113871122A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111121038.0
申请日：2021-09-24
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低重稀土磁体及制造方法。低重稀土磁体由钕铁硼磁体主体合金和低重稀土扩散源制备而成，低重稀土扩散源化学式为RxHyM1‑x‑y，其中R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，所述低重稀土扩散源结构分布为RH相、RHM相镶嵌均匀分布。在钕铁硼磁体主体合金表面涂覆所述低重稀土扩散源，并进行扩散和回火处理，得到低重稀土磁体，磁体晶界结构包括主相、R壳层、过渡金属壳层和三角区，本发明的有益之处是通过对磁体成分和低重扩散源结构的调控，实现矫顽力的大幅提升。
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公开(公告)号：CN113871121B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111120165.9
申请日：2021-09-24
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种耐高温磁体及制造方法，属于磁体制备领域，通过设计晶界为低熔点磁体，并在该磁体上形成具有特殊扩散源，进行扩散、时效处理，得到高性能耐高温的钕铁硼磁体。低重稀土扩散源化学式为R1xR2yHzM1‑x‑y‑z，其中R1是指Nd，Pr中的至少一种，R2为Ho、Gd中至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，其中15＜x＜50，0＜y≤10，40≤z≤70，比例为重量百分比，得到具有晶界结构包括主相，壳层和特定成分的三角区点扫成分。本发明所述的一种耐高温磁体及制造方法，耐高温性能和矫顽力均有大幅度地提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114927302B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210610371.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种稀土磁体及其制备方法，属于稀土磁体技术领域，通过将扩散源涂覆在钕铁硼母材上，进行扩散、时效处理，得到稀土磁体，其中扩散源合金成份是RαMβBγFe100‑α‑β‑γ，其中R是指Nd、Pr中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga中的至少一种，钕铁硼磁体是RaMbBcFe100‑a‑b‑c，其中R是指Nd、Pr、Ce、La中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Zr、Co、Mg、Zn、Nb、Mo、Sn中的至少一种，剩余成分为Fe。本发明的一种稀土磁体及其制备方法，剩磁降低幅度低于0.3kGs，Hcj增加幅度大于4kOe。
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公开(公告)号：CN112863848B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110052347.0
申请日：2021-01-15
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高矫顽力烧结钕铁硼磁体的制备方法，属于稀土永磁材料制备领域，具体地：提供烧结钕铁硼磁粉作为主相材料，将具有核壳结构的合金粉末作为辅相材料并添加到钕铁硼磁粉中进行混粉，其中辅相材料的核芯为高熔点的纳米金属粉末，壳层成分为稀土类合金，混粉后依次进行取向压型，烧结，退火处理，获得高矫顽力烧结钕铁硼磁体。在本发明的烧结时效过程中高熔点的核芯结构在不同的主相晶粒之间起到支撑作用防止晶粒长大和不同晶粒的接触，促进了低熔点的壳层成分融化后在晶界的流动扩散有效改善了晶界组织成分，从而形成具有连续清晰晶界结构的磁体显著提高钕铁硼磁体的矫顽力。
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公开(公告)号：CN113871122B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202111121038.0
申请日：2021-09-24
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低重稀土磁体及制造方法。低重稀土磁体由钕铁硼磁体主体合金和低重稀土扩散源制备而成，低重稀土扩散源化学式为RxHyM1‑x‑y，其中R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，所述低重稀土扩散源结构分布为RH相、RHM相镶嵌均匀分布。在钕铁硼磁体主体合金表面涂覆所述低重稀土扩散源，并进行扩散和回火处理，得到低重稀土磁体，磁体晶界结构包括主相、R壳层、过渡金属壳层和三角区，本发明的有益之处是通过对磁体成分和低重扩散源结构的调控，实现矫顽力的大幅提升。
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公开(公告)号：CN114974776A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210609436.5
申请日：2022-05-31
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钕铁硼稀土磁体及其制备方法，涉及稀土磁体制备技术领域，通过设计扩散源与磁体的配合扩散，进行扩散、时效处理，得到高性能无重稀土磁体。其中扩散源的制作方式是在扩散源薄片上镀一层无重稀土合金膜层，进行时效处理，形成新型扩散源，其中扩散源薄片是RαRHδMβBγFe100‑α‑β‑γ‑δ，无重稀土膜层是化学式为RnMm，进行时效处理，形成新型扩散源；钕铁硼磁体的化学式是RaM1bM2cBdFe100‑a‑b‑c‑d，磁体扩散含Dy扩散源后剩磁降低幅度低于0.15kGs,Hcj增加幅度大于8kOe，扩散含Tb扩散源后剩磁降低幅度低于0.15kGS,Hcj增加幅度大于11kOe。
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公开(公告)号：CN113871123A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111121731.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 烟台东星磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低成本稀土磁体及制造方法。低成本稀土磁体由钕铁硼合金及涂覆在所述钕铁硼合金表面的扩散源薄膜制备而成，所述钕铁硼合金由钕铁硼合金原料、低熔点粉料和其他添加剂混合制备而成，所述混合低熔点粉料含有CeCu、CeAl和CeGa，所述扩散源具有式R1xR2yHzM1‑x‑y‑z所示的组成，其中R1是指Nd，Pr中的至少一种，R2为Ho、Gd中至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，本发明的有益之处是较少重稀土含量的情况下，大幅增加磁体的矫顽力，降低磁体的生产成本。
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