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公开(公告)号：CN116219384A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310231101.9
申请日：2023-03-10
Applicant: 湘潭大学 , 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管液晶显示器技术领域，本发明提供了一种Mo‑Ti‑Ta合金薄膜及其制备方法，在玻璃衬底上磁控溅射双靶或单靶，得到Mo1‑x‑yTixTay合金薄膜；其中，0.1
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公开(公告)号：CN116275047B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310285277.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含钇钨棒坯及其制备方法与应用，涉及钨制品技术领域，该含钇钨棒坯由钨合金制成；所述钨合金中包括钇氧化物；所述钨合金中钇氧化物的质量百分数为0.5％～1.2％；所述含钇钨棒坯的平均晶粒度在6000个/mm2以上。本发明的钨合金通过在钨中添加钇元素制备得到，钇元素形成的氧化钇作为第二相颗粒，抑制了烧结过程中钨晶粒的长大，获得了细晶粒的合金，进一步实现了对含钇钨棒坯的平均晶粒度进行控制，从而制得了高强度的钨合金丝。
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公开(公告)号：CN116275048B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310285290.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含镧钨棒坯及其制备方法与应用，涉及钨制品技术领域，该含镧钨棒坯由钨合金制成；钨合金中包括镧氧化物；钨合金中镧氧化物的质量百分数为0.05％～0.5％；含镧钨棒坯的平均晶粒度在5000个/mm2以上。本发明的钨合金通过在钨中添加镧制备得到，镧作为强化元素，一方面，镧分布在基体晶界上，有效阻止晶粒的长大；从而实现了对含镧钨棒坯的平均晶粒度进行控制，从而使最终制得的钨合金丝强度高；另一方面，镧元素颗粒在基体中以球形分布在晶界上，有效缓解了钨合金晶界微裂纹的应力集中，并起到颗粒强化作用，提高钨合金强度。
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公开(公告)号：CN117778858A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311857789.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高熵合金及其制备方法，涉及高熵合金和钨合金材料领域，所述高熵合金，按摩尔量计其成分包括20～50％W、20～50％Ta、2～20％Cr、2～15％V、0～15％Ti、0～15％Mo和不可避免的杂质，杂质为C、N、H、O元素。高熵合金的制备方法，包括以下步骤：S1.将备料进行混料得到粉末原料；S2.将粉末原料经压制得到棒状坯料；S3.将棒状坯料进行预烧结；S4.将预烧结后的棒状坯料经熔炼得到铸锭S5.将铸锭取样进行固溶处理。该方法的优势在于：合金材料元素分布均匀，基本元素无偏析；元素氧化情况较轻；可以应用在大规模生产的过程中，满足工业需求。
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公开(公告)号：CN119220845B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411761361.8
申请日：2024-12-03
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明公开一种高密度细晶粒掺杂钨基材料及其制备方法，涉及掺杂钨基材料技术领域，包括以下步骤：S1.将钨粉和金属化合物粉末经湿磨、干燥，得到掺杂钨粉末料；S2.掺杂钨粉末料压制成型，得到压坯；S3.压坯经中频烧结和热等静压处理，得到高密度细晶粒掺杂钨基材料。本发明制备的高密度细晶粒掺杂钨基材料通过“先中频烧结、后热等静压”两次烧结工艺，且严格控制两次烧结的工艺，制得的高密度细晶粒掺杂钨基材料致密度高且粒度小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115992329B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310282006.1
申请日：2023-03-22
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨棒坯及其应用，涉及钨制品技术领域，该钨棒坯由钨合金制成；所述钨合金中包括铈氧化物；所述钨合金中铈氧化物的质量百分数为0.2%~2.5%；所述钨棒坯的平均晶粒度在4000个/mm2以上。本发明的钨棒坯内部缺陷少，致密度高，密度达到18.5g/cm3以上；晶粒尺寸小，且无粗大晶粒，组织均性好，平均晶粒度4000以上，钨晶粒尺寸的细化有利于加工过程均匀变形。
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公开(公告)号：CN115821221B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310112458.5
申请日：2023-02-14
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钼靶及其制备方法与应用，涉及金属材料加工技术领域；该钼靶的致密度在99.8%以上；所述钼靶的长度在2000mm以上；所述模板的直线度在0.4mm以下；所述钼靶的平均晶粒尺寸在60μm以下；所述钼靶中钼的质量含量在99.97%以上;钼靶材内部组织无气孔、裂纹、分层、夹杂等缺陷，晶粒均匀；本发明的钼靶制备方法具有流程短、生产效率高、产品致密度高的特点，可用于制备平面显示器。
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公开(公告)号：CN119307759A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411806338.6
申请日：2024-12-10
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本申请属于高熵合金制备领域，具体涉及一种高熵合金及其制备方法和应用。所述制备方法，包括如下步骤：将高熵合金原料的金属圆柱熔炼，得到高熵合金；从所述金属圆柱的中心轴径向向外依次排列N层金属层，第n层金属层的熔点低于第n+1层金属层的熔点；其中，n取1、2、3、……、N‑1，N为正整数。本申请提供的高熵合金的制备方法，将金属圆柱形的高熵合金原料熔炼，使所述高熵合金原料中各金属以大体积块状（金属层）熔炼，降低所述高熵合金原料中易氧化金属的氧化；金属熔点由金属圆柱的中心轴径向向外依次降低，减少了低熔点元素在熔炼过程中的烧损。
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公开(公告)号：CN117778793A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311857788.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种细晶粒氧化物掺杂钨基材料的制备方法，涉及粉末冶金技术领域。本发明提供一种氧化物掺杂钨的制备方法，其包括以下步骤：S1.将钨粉和碳化物纳米粉混合、湿磨、烘干、过筛得到烘干粉末料；S2.将烘干粉末料压制成型得到压坯；S3.将压坯在氢气中进行烧结即可；所述碳化物纳米粉为ZrC纳米粉、TiC纳米粉或HfC纳米粉。该方法通过多段烧结工艺将碳化物转化为氧化物，避免了碳化物的不稳定性；在保证材料密度和收缩的前提下，抑制晶粒生长，因此氧化物掺杂钨材料具有高密度、细晶粒的特性；工艺简单，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN116275047A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310285277.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含钇钨棒坯及其制备方法与应用，涉及钨制品技术领域，该含钇钨棒坯由钨合金制成；所述钨合金中包括钇氧化物；所述钨合金中钇氧化物的质量百分数为0.5％～1.2％；所述含钇钨棒坯的平均晶粒度在6000个/mm2以上。本发明的钨合金通过在钨中添加钇元素制备得到，钇元素形成的氧化钇作为第二相颗粒，抑制了烧结过程中钨晶粒的长大，获得了细晶粒的合金，进一步实现了对含钇钨棒坯的平均晶粒度进行控制，从而制得了高强度的钨合金丝。
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