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公开(公告)号：CN117317054A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311321258.7
申请日：2023-10-12
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H10N15/10
Abstract: 本申请涉及功能材料领域，公开了一种自供电异质结及其制备方法，本申请的自供电异质结，由下至上依次包括衬底、n型二维半导体材料层、二维铁电材料层和p型二维半导体材料层；二维铁电材料层与n型二维半导体材料层的界面处的内建电场方向、二维铁电材料层与p型二维半导体材料层的界面处的内建电场方向与二维铁电材料层极化形成的内建电场方向相同；衬底上还设置有上电极和下电极，上电极与n型二维半导体材料层直接接触，下电极与p型二维半导体材料层直接接触。本申请利用n型二维半导体材料层/二维铁电材料层、二维铁电材料层/p型二维半导体材料层的界面处形成的结型内建电场，稳定二维铁电材料层中的铁电极化方向。
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