公开(公告)号：CN109575335B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201811336973.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 赵镍 ,  刘凯 ,  杨春明 ,  边风刚 ,  欧阳晓平 ,  黄文超

IPC: C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L53/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种调控纳米结构取向的方法，包括：用等离子体或浓硫酸与双氧水的混合溶液对基底进行亲水处理；将多种聚电解质溶液通过旋涂法在亲水处理后的基底上层层自组装，制备得到聚电解质改性层；将聚电解质改性层进行退火处理；将嵌段共聚物溶液旋涂在退火后的聚电解质改性层上，退火形成垂直取向的纳米结构。上述方法通过多种聚电解质采用层层自组装来修饰基底表面调控嵌段共聚物自组装纳米结构取向，实现了纳米结构垂直于基底方向，提高了嵌段共聚物薄膜自组装形成的纳米结构在微电子领域的实用性。

公开(公告)号：CN109575335A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811336973.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 赵镍 ,  刘凯 ,  杨春明 ,  边风刚 ,  欧阳晓平 ,  黄文超

IPC: C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L53/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种调控纳米结构取向的方法，包括：用等离子体或浓硫酸与双氧水的混合溶液对基底进行亲水处理；将多种聚电解质溶液通过旋涂法在亲水处理后的基底上层层自组装，制备得到聚电解质改性层；将聚电解质改性层进行退火处理；将嵌段共聚物溶液旋涂在退火后的聚电解质改性层上，退火形成垂直取向的纳米结构。上述方法通过多种聚电解质采用层层自组装来修饰基底表面调控嵌段共聚物自组装纳米结构取向，实现了纳米结构垂直于基底方向，提高了嵌段共聚物薄膜自组装形成的纳米结构在微电子领域的实用性。