公开(公告)号：CN114284361A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111634378.3

申请日：2021-12-29

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 曾斌建 ,  谢世昌 ,  廖敏 ,  彭强祥 ,  杨琼 ,  周益春

IPC: H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L29/51 ,  H01L27/1159 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器。其中，该铁电场效应晶体管包括：衬底、形成于所述衬底中的源极和漏极、位于所述衬底上且投影介于所述源极和漏极之间的绝缘层、以及在所述绝缘层上依次设置的第一铁电层、夹层、第二铁电层和栅极层，其中，所述夹层的导带底高于或等于所述第一和第二铁电层的导带底且两者之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的价带顶低于或等于所述第一和第二铁电层的价带顶且两者之间的差值小于或等于0.3eV。本实施例，通过能带工程抑制电荷俘获，因此能够提高铁电层的抗疲劳特性，从而提高相应元件的性能。

公开(公告)号：CN114284361B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202111634378.3

申请日：2021-12-29

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 曾斌建 ,  谢世昌 ,  廖敏 ,  彭强祥 ,  杨琼 ,  周益春

IPC: H01L29/78 ,  H10N97/00 ,  H01L29/51 ,  H10B51/30 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器。其中，该铁电场效应晶体管包括：衬底、形成于所述衬底中的源极和漏极、位于所述衬底上且投影介于所述源极和漏极之间的绝缘层、以及在所述绝缘层上依次设置的第一铁电层、夹层、第二铁电层和栅极层，其中，所述夹层的导带底高于或等于所述第一和第二铁电层的导带底且两者之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的价带顶低于或等于所述第一和第二铁电层的价带顶且两者之间的差值小于或等于0.3eV。本实施例，通过能带工程抑制电荷俘获，因此能够提高铁电层的抗疲劳特性，从而提高相应元件的性能。