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公开(公告)号：CN116013381A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310088121.5
申请日：2023-02-02
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种HfO2基铁电存储器的编程操作方法，包括：给HfO2基铁电存储器施加第一编程电压脉冲，使所述HfO2基铁电存储器以第一存储模式工作，给所述HfO2基铁电存储器施加第二编程电压脉冲，使HfO2基铁电存储器可以继续以第二存储模式工作。本发明所述的HfO2基铁电存储器的编程操作方法可以有效的增加HfO2基铁电存储器的存储次数，提高HfO2基铁电存储器的存储性能，并且将所述HfO2基铁电存储器可以具备多次可编程、单次可编程两种不同的编程特性。
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