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公开(公告)号：CN111499410A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010219800.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明实施例涉及碳化硅陶瓷技术领域，公开了一种碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法及碳化硅基。方法包括：S1、基体预处理：将碳化硅基体打磨，抛光，洗涤，烘干；S2、酸处理：将预处理后的碳化硅基体置于盐酸溶液中进行超声清洗，取出后用去离子水清洗干净；S3、碱处理：将酸处理后的碳化硅基体置于氢氧化钠溶液中，加热碱煮，然后用去离子水清洗并烘干；S4、硅烷偶联剂改性：将碱处理后的碳化硅基体浸渍在硅烷偶联剂溶液中24h，后烘干；S5、涂层的制备：将改性处理后的碳化硅基体置于化学气相沉积炉中，通入H2和CH4，沉积金刚石涂层。本发明实施例可以提升碳化硅基金刚石涂层的膜基结合性能。
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